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申请/专利权人:天津本钻科技有限公司
摘要:本发明涉及金刚石生产技术领域,特别涉及一种用于MPCVD设备的腔内气流场调节装置及使用方法,步骤如下:步骤一:加工微波等离子体反应器;步骤二:加工基片台;步骤三:加工衬底支架;步骤四:对反应腔室进行抽真空处理;步骤五:通入氢气,激发产生氢等离子体球;步骤六:调节基片台高真空微调阀和主气路高真空微调阀逐步升高气压并且同时提高微波功率,使微波功率和内腔体气压分别保持恒定比例;步骤七:进行金刚石沉积生长;步骤八:通入冷却水在真空环境下冷却;步骤九:对内腔体抽真空至本底真空后保存。通过在衬底支架的支架主体上设置钼托槽及均气槽和与抽气管道对接的抽气孔,使基片台上方的气体均匀的被抽出。
主权项:1.一种用于MPCVD设备的腔内气流场调节装置,包括带有内腔体和进气口的微波等离子体反应器,设置在微波等离子体反应器内腔体底部的基片台,放置在基片台上用于金刚石生产的钼托,所述基片台设置有贯穿基片台,连接微波等离子体反应器的内腔体与微波等离子体反应器外侧的抽气管道,其特征在于:还包括设置在基片台顶端,用于放置钼托的衬底支架,所述衬底支架包括支架主体,以及在支架主体顶端开设的用于放置钼托的钼托槽,在所述钼托槽底面的中心处开设有贯穿支架主体并与抽气管道对接的抽气孔,在所述抽气孔周边的支架主体上设置有以抽气孔为中心,向钼托槽边沿延伸的均流槽;所述支架主体与钼托槽周边连接处设置有台阶状的用于限定钼托位置的固定台,所述固定台与均流槽的连接处设置有与均流槽对接的固定台槽;所述微波等离子体反应器的底部设置有不少于一个用于排出内腔体中气的主气路抽气口,所述主气路抽气口上连接有主气路抽气管,主气路抽气管的另一端连接有用于抽取内腔体内气体的真空机械泵,所述主气路抽气管上连接有隔膜阀;所述抽气管道上连接有基片台微调抽气管,基片台微调抽气管的另一端与真空机械泵连接,基片台微调抽气管上连接有基片台高真空微调阀和基片台气流量检测器;在主气路抽气管与基片台微调抽气管之间连接有主气路微调抽气管,主气路微调抽气管上设置有主气路高真空微调阀和主气路气流量检测器。
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百度查询: 天津本钻科技有限公司 用于MPCVD设备的腔内气流场调节装置及使用方法
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