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申请/专利权人：上海道之科技有限公司
摘要：本发明公开了一种超结MOSFET功率器件的版图结构，包括MOSFET版图结构，所述MOSFET版图结构主要包括有源区及设置在有源区相邻两侧的终端结构，所述终端结构由若干终端小模块组合而成，所述终端小模块包括横向或纵向布置的第一模块和第二模块，第一模块和第二模块的大小相同且第一模块和第二模块均由若干P柱和N柱组合而成，相邻两终端小模块之间的第一模块和第二模块交错布置使得终端结构中的P柱和N柱互相补偿耗尽，在功率器件的四周形成击穿电压一致的终端结构；所述第一模块由纵向交错布置的若干P柱和N柱组合而成，所述第二模块由横向交错布置的若干P柱和N柱组合而成；所述终端小模块内的P柱与N柱之间设置有间隙。
主权项：1.一种超结MOSFET功率器件的版图结构，包括MOSFET版图结构，其特征在于：所述MOSFET版图结构包括有源区及设置在有源区相邻两侧的终端结构，所述终端结构由若干终端小模块组合而成，所述终端小模块包括横向或纵向布置的第一模块和第二模块，第一模块和第二模块的大小相同且第一模块和第二模块均由若干P柱和N柱组合而成，相邻两终端小模块之间的第一模块和第二模块交错布置使得终端结构中的P柱和N柱互相补偿耗尽，在功率器件的四周形成击穿电压一致的终端结构；所述第一模块由纵向交错布置的若干P柱和N柱组合而成，所述第二模块由横向交错布置的若干P柱和N柱组合而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海道之科技有限公司 一种超结MOSFET功率器件的版图结构
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