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摘要：本发明公开了一种基于LFSR设计的ONFITESTCHIP内建自测试方法及装置。结合LFSR电路与ECC校验方法，基于MUX选择多种模式测试数据（顺序、固定、随机）。LFSR生成随机数测试序列，写阶段，LFSR生成数据并传输至CONTROLLER；读阶段，LFSR生成比较序列与读回数据对比，在顺序数和固定数的校验模式中，检测SRAMs到NANDFLASH的读写数据通路，若数据报错则记录错误位置。本发明提供了多种模式的测试序列对多个测试支路的随机组合进行同步测试，实现分段式路径检测以及多路径检测，可节约测试成本与时间、实现出错位置的精准定位、提高系统的可测性和可靠性。

主权项：1.一种基于LFSR设计的ONFITESTCHIP内建自测试方法，其特征在于，包括：S1:基于LFSR电路和ECC校验结合，即LFSR和CRW_MEM_ECC的结合，通过MUX选择运用顺序数、固定数、随机数不同模式的测试数据序列，数据来源DATA_IN和SEED；S2:设定随机数的种子值SEED、顺序数；S3:启动随机数LFSR检测，检测作为正常读写功能使用的SRAMs-DMA_INTF接口-控制器CONTROLLER这一数据通路情况；S4:在启动随机数测试序列时，外部配置data_select选择lfsr随机数测试模式，并输入SEED，用作校验功能的SRAM则根据所需要测试的SRAM-DMA_INTF接口-控制器CONTROLLER通路选择和用作正常读写功能使用的SRAM输入一样的种子值；发送写命令，控制器CONTROLLER接收到指令运作后进入读取阶段的SRAM会收到直接存取器接口发送过来的读取信号rd_en，相应的随机数测试序列lfsr_gen_data通过LFSR迅速响应生成，此时，SEED为输入LFSR的种子值，rdwr_en为LFSR所需读写使能；然后，CONTROLLER将基于DMA_INTF的数据mem_data_out进行即时处理，并产生用作校验功能的LFSR的写使能信号wr_en，用于产生读回比较序列的LFSR迅速响应生成比较数据序列lfsr_cmp_data，将lfsr_cmp_data和CONTROLLER即时处理的数据序列rdbc_data进行对比，对比基于cmp逻辑，如果数据不一致，则将进行报错，报错信号lfsr_error将触发内部地址生成器exin_gen_data_addr生成用于存储LFSR随机数序列存储的地址并将存在的错误数据rdbc_data存储至出错的SRAM，同时，对应SEED生成的比较数据序列lfsr_cmp_data也会写入用作校验功能的SRAM，用于定位数据序列出错位置，所述定位数据序列出错位置通过读取种子值判断SRAM出错定位，然后读取出错SRAM的内容并和校验SRAM里的内容进行比较，定位出具体出错位置，如果rdbc_data和lfsr_cmp_data一致，此时数据不会存储至SRAMs；S5:顺序数和固定数的校验模式用于检测正常读写功能SRAMs到NANDFLASH的读写数据通路，未写数据部分的SRAMs当作错误数据储蓄池，校验时，用作正常读写功能的SRAMs随机选取组合使用并进行同时校验，一部分SRAMs用于写数据，一部分SRAMs用于存储读回报错的数据，如果校验不报错，则将正确数据存在读回指定的SRAMs，如果校验报错，则读出写入SRAMs的数据和对应存储读回出错SRAMs的数据进行对比和定位出具体出错位置；S6:启动顺序数固定数测试序列，外部配置data_select选择顺序数固定数测试模式，并对用做校验功能的SRAM输入DATA_IN，外部发送带有相应SRAMs外部映射首地址的写命令和写数据，CONTROLLER接收到指令运作后，进入读取阶段的SRAMs会收到CONTROLLER的读取请求，将mem_data_out取走经过PHY传输到非易失存储介质NANDFLASH，写数据阶段完成；然后，发送带有指定SRAMs外部映射首地址的读命令，CONTROLLER接收到指令运作后从NANDFLASH侧读回数据序列rdbc_data，生成dam_addr并对指定的SRAMs发送写请求，此时，用作校验功能的SRAM接收到一个读请求，对经过处理的读取地址mem_addr中存储的比较序列lfsr_cmp_data读出，通过cmp逻辑对lfsr_cmp_data和从NANDFLASH侧读回的rdbc_data进行对比，如果数据不一致，则进行报错，报错信号lfsr_error，并将错误数据存储至指定的SRAMs，通过读出写SRAMs的数据和对应存储读回出错SRAMs的数据进行对比并定位数据序列的出错位置；S7:在上述S4与S6过程中，基于用户测试计划，通过发送停止命令将正在进行的测试停止操作，若出现读写错误，设定触发中止测试；S8:基于不同测试模式的选择，MEMWRAPPER的SRAMs通过随机组合进行测试适应；其中，在S6中，所述通过cmp逻辑对lfsr_cmp_data和从NANDFLASH侧读回的rdbc_data进行对比，如果数据不一致，则进行报错中，若对比过程数据一致或者无需比较时，则选用DMA返回的地址dma_addr，此时数据写入指定的SRAMs。

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