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申请/专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
摘要：一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法，其为具备绝缘层和设置于绝缘层上的布线导体的半导体元件搭载用封装基板的制造方法，所述制造方法包括如下工序：第1基板形成工序a，在厚度为1μm～80μm的芯树脂层的两面形成配置有第1金属层、第1绝缘性树脂层和第2金属层的层叠体，将层叠体同时加热加压，形成第1基板，所述第1金属层的厚度为1μm～70μm且能从芯树脂层剥离；图案化工序b，在第1基板的第2金属层上形成图案；第2基板形成工序c，在前述第1基板的第2金属层表面配置第2绝缘性树脂层和第3金属层，形成层叠体，将所形成的层叠体加热加压，形成第2基板；和，剥离工序d，从芯树脂层剥离第3基板，所述第3基板具备第1金属层、第1绝缘性树脂层、第2金属层、第2绝缘性树脂层和第3金属层。
主权项：1.一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法，其为具备绝缘层和设置于所述绝缘层上的布线导体的半导体元件搭载用封装基板的制造方法，所述制造方法包括如下工序：第1基板形成工序a：在厚度为1μm～80μm的芯树脂层的两面形成在不进行加热加压的情况下依次配置有第1金属层、第1绝缘性树脂层和第2金属层的层叠体，将所述层叠体同时加热加压，形成第1基板，所述第1金属层的厚度为1μm～70μm且能从所述芯树脂层剥离；图案化工序b：在所述第1基板的所述第2金属层上形成图案；第2基板形成工序c：在所述第1基板的所述第2金属层表面依次配置第2绝缘性树脂层和第3金属层，形成层叠体，将所形成的层叠体加热加压，形成第2基板；和，剥离工序d：从所述芯树脂层剥离第3基板，所述第3基板依次具备所述第1金属层、所述第1绝缘性树脂层、所述第2金属层、所述第2绝缘性树脂层和所述第3金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱瓦斯化学株式会社 半导体元件搭载用封装基板的制造方法
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