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申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
摘要：本实用新型公开了一种半导体结构，包括衬底，有源区阵列由浅沟隔离定义在衬底中，栅极沟槽设置在衬底中并跨过有源区阵列，其中在所述第二方向上最外侧的栅极沟槽为外侧沟槽，其余为内侧沟槽。第一导体层填充在内侧沟槽的下部。第一盖层填充在内侧沟槽的上部。半导体层介于第一导体层与第一盖层之间，与第一盖层和第一导体层直接接触。第二导体层填充在外侧沟槽的下部。第二盖层填充在外侧沟槽的上部。沿着外侧沟槽的剖面，第二盖层连续覆盖并接触第二导体层。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括浅沟隔离；有源区阵列，包括多个有源区，定义在所述衬底中；多个栅极沟槽，沿着第一方向延伸跨过所述有源区阵列并沿着第二方向平行排列，其中在所述第二方向上最外侧的所述栅极沟槽为外侧沟槽，其余为内侧沟槽；第一导体层，填充在所述内侧沟槽的下部；第一盖层，填充在所述内侧沟槽的上部；半导体层，介于所述第一导体层与所述第一盖层之间，与所述第一盖层和所述第一导体层直接接触；第二导体层，填充在所述外侧沟槽的下部；以及第二盖层，填充在所述外侧沟槽的上部，其中沿着所述外侧沟槽的剖面，所述第二盖层连续覆盖并接触至少一所述第二导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构
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