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摘要：本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶及其制备方法。本发明方法包括1称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒；2将原料颗粒置于石英坩埚并抽真空；3将石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，进行程序控温，获得单晶锭体；4将装单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内退火处理，随后得到所述大尺寸层状GeSb4Te7单晶。
主权项：1.一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法为降温法，具体步骤如下：S01：称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒，所述Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒的摩尔比为19～21：77～83：137～143，将称量好的原料颗粒混合均匀；S02：将混合均匀的所述原料颗粒置于石英坩埚中，并对所述石英坩埚进行抽真空封装；S03：将封装后的所述石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，此时所述石英坩埚尖端距离炉膛最下端的距离为6-12cm，设置所述立式炉的控温程序，使温度以0.5-1.5℃min的速率升温至900-1050℃，使所述石英坩埚中的原料处于熔融状态，并保持3-20h；S04：调节所述立式炉的控温程序，使温度以0.5-5℃min的速率降至700-850℃；S05：进一步调节所述立式炉的控温程序，使温度以0.5-2℃h的速率降至500-600℃，使所述石英坩埚中处于熔融状态的材料完成析晶，获得单晶锭体；S06：将装载所述单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内，退火处理；S07：控制所述立式炉的温度自动降温至常温，获得所述大尺寸层状GeSb4Te7单晶。
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百度查询： 重庆邮电大学 一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶及其制备方法
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