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摘要：本公开提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在n‑漂移区的上表面形成n‑载流子存储层；形成发射极沟槽和有源沟槽；在有源沟槽和发射极沟槽内生长栅氧化层，再分别形成屏蔽栅多晶硅和发射极多晶硅；在屏蔽栅多晶硅的上方生长隔离氧化层；在有源沟槽内生长栅极氧化层，再形成栅极多晶硅；在n‑载流子存储层的上方设置发射极；发射极多晶硅用于将发射极沟槽与发射极相连，以形成虚拟栅；栅极多晶硅将有源沟槽与栅极连接，以作为控制栅；屏蔽栅多晶硅与发射极连接，以作为屏蔽栅。本公开引入屏蔽栅和虚拟栅，减小了米勒电容，提高了开关速度，减小了沟道密度，降低了短路电流，提高了短路能力，优化了器件性能。
主权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在n-漂移区的上表面形成n-载流子存储层；在形成所述n-载流子存储层后的所述n-漂移区的上表面形成发射极沟槽和有源沟槽；在所述有源沟槽和所述发射极沟槽内生长栅氧化层，再淀积多晶硅在所述有源沟槽内形成屏蔽栅多晶硅、在所述发射极沟槽内形成发射极多晶硅；在所述屏蔽栅多晶硅的上方生长隔离氧化层；在所述有源沟槽内生长栅极氧化层，再淀积所述多晶硅形成栅极多晶硅；在所述n-载流子存储层的上方设置发射极；其中，所述栅氧化层设于所述屏蔽栅多晶硅和所述发射极多晶硅的下方和两侧，所述隔离氧化层设于所述栅极多晶硅和所述屏蔽栅多晶硅之间，所述栅极氧化层设于所述栅极多晶硅两侧；所述发射极多晶硅用于将所述发射极沟槽与所述发射极相连，以形成虚拟栅；所述栅极多晶硅将所述有源沟槽与栅极连接，以作为控制栅；所述屏蔽栅多晶硅与所述发射极连接，以作为屏蔽栅。
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