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摘要：一种DSN半导体装置封装，其中至端子的键合焊盘包括第二金属化层中的附加区域，该附加区域是矩形的并且从端子的一侧例如，中间向半导体装置上方的位置延伸。
主权项：1.一种双硅树脂无引线DSN半导体装置封装300，400，所述半导体装置封装包括由第一组层512限定的键合焊盘510和由第二组层552限定的半导体装置550，1450，所述键合焊盘提供所述DSN半导体装置封装的端子302，其中所述第一组层包括将所述键合焊盘暴露于所述DSN半导体装置封装的外部的第一金属化层520，1420，其中所述第一金属化层包括在所述第一金属化层的平面中的第一区域422，522，其中所述第一区域至少包括矩形区域，并且其中所述第一区域包括第一金属660，其中所述第一组层还包括导电连接到所述第一金属化层的第二金属化层530，1430，其中所述第二金属化层包括在所述第二金属化层的平面中的第二区域432，532，其中所述第二区域定位在所述第一区域下方，并且其中所述第二区域包括第二金属661，并且其中所述第二金属化层还包括在所述第二金属化层的平面中的第三区域434，534，其中所述第三区域是矩形的并且从所述第二区域的一侧向所述半导体装置上方的位置延伸，其中所述第三区域的在所述第三区域接触所述第二区域的所述一侧的地方的宽度小于所述第二区域的所述一侧的长度，并且其中所述第三区域包括所述第二金属。
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百度查询： 安世有限公司 半导体装置封装的键合焊盘设计
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