龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种氮化镓GaN纵向器件，具体提供了一种利用异质结界面的二维电子气进行导电的纵向高电子迁移率晶体管。本发明提出的GaN纵向器件，区别于以往只能主要利用迁移率较低的体电子进行纵向导电的各种已有GaN纵向器件，创新性地利用了高浓度、高迁移率的二维电子气进行纵向导电，不仅可以显著降低器件的比导通电阻与开关损耗，体现出更优的性能，而且特殊的表面结构设计可以令表面钝化层更好地保护栅漏之间的辐照敏感区域，具有更好的抗辐照性能。
主权项：1.一种新型纵向GaN功率器件结构，又名纵向高电子迁移率晶体管V-HEMT，该器件利用斜面上的异质结实现二维电子气的纵向流动，包括：漏电极1、衬底2、过渡层3、缓冲层4、沟道层5、势垒层6、介质钝化层7、源电极8、栅电极9、源极场板10、PGaN11，首先需要在硅衬底2上刻出V型槽，在V型槽表面从下至上依次层叠设置过渡层3、缓冲层4、沟道层5和势垒层6，所述势垒层6上表面两端设置有PGaN11；PGaN11上方为栅电极9；势垒层6、PGaN11与栅电极9被介质钝化层7完全覆盖；源电极8设置在栅电极9外侧，贯通势垒层6与介质钝化层7；源极场板10设置在钝化层7上方，外侧与源电极8相连；所述衬底2从背面被刻蚀出一个沟槽，沟槽与V型槽底部对齐，贯通衬底2、过渡层3、缓冲层4、沟道层5、势垒层6；漏电极1设置在衬底2下方，并将衬底2背面的沟槽完全填充。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种利用二维电子气导电的新型GaN纵向器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号