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摘要：膜构造体10具有：Si层12a；ZrO2层12b，是形成于Si层12a上、包含ZrO2的缓冲膜；和压电体膜11，形成于ZrO2层12b上，Si层12a是Si100基板、或者包含由Si基板构成的基体、基体上的绝缘层、和绝缘层上的由Si100膜构成的SOI层的SOI基板中的SOI层，压电体膜11包含c轴取向的LiNbO3或者LiTaO3。
主权项：1.一种膜构造体，其特征在于，具有：基板；缓冲膜，形成于所述基板上；和压电体膜，形成于所述缓冲膜上，所述基板是Si100基板或者SOI基板，所述SOI基板包含由Si基板构成的基体、所述基体上的绝缘层、和所述绝缘层上的由Si100膜构成的SOI层，所述缓冲膜包含ZrO2，所述压电体膜包含c轴取向的LiNbO3或者LiTaO3。
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百度查询： 日商爱伯压电对策股份有限公司 膜构造体以及电子器件
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