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摘要：本公开涉及具有晶体管基元和箝位区的碳化硅装置。一种碳化硅装置可包括晶体管基元。晶体管基元可包括栅电极和源极区。碳化硅装置还可包括：第一导电型的第一箝位区，按照电气方式与栅电极连接；和第一导电型的第二箝位区，按照电气方式与源极区连接。碳化硅装置还可包括：第二导电型的阱区，沿侧向包围第一箝位区和第二箝位区中的每一个。第一箝位区和第二箝位区之间的最短距离可等于或小于10μm。
主权项：1.一种碳化硅装置500，包括：晶体管基元TC，包括栅电极155和源极区110；第一导电型的第一箝位区411，按照电气方式与所述栅电极155连接；第一导电型的第二箝位区412，按照电气方式与所述源极区110连接；和第二导电型的阱区410，沿侧向包围所述第一箝位区和所述第二箝位区中的每一个，其中所述第一箝位区和所述第二箝位区之间的最短距离d等于或小于10μm。
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百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有晶体管基元和箝位区的碳化硅装置
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