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摘要：本申请涉及非易失性存储器装置。非易失性存储器单元结构被设计成能够实现高密度逻辑兼容的嵌入式闪存存储器。非易失性存储器装置包括：基板，该基板包括多个n阱，以及第一单个单元，该第一单个单元包括：第一存储器单体，该第一存储器单体包括形成在基板上的第一n阱上的第一P‑MOS晶体管；第二存储器单体，该第二存储器单体包括作为第二n阱形成在基板上的第二P‑MOS晶体管；第三存储器单体，该第三存储器单体包括三个N‑MOS晶体管；第一连接线，该第一连接线将三个N‑MOS晶体管中的一个N‑MOS晶体管的栅极沿着单个单元的长度耦合至第一P‑MOS晶体管的栅极；以及第二连接线，该第二连接线将第一P‑MOS晶体管的栅极沿着单个单元的长度耦合至第二P‑MOS晶体管的栅极。
主权项：1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：基板，所述基板包括多个n阱，所述n阱包括多个扩散区，所述扩散区由所述基板的一个或更多个非有源区彼此分隔开；以及，第一单个单元，所述第一单个单元包括：第一存储器单体，所述第一存储器单体包括形成在所述基板上的第一n阱上的第一P-MOS晶体管；第二存储器单体，所述第二存储器单体包括形成在所述基板上的第二n阱上的第二P-MOS晶体管，其中，所述第一P-MOS晶体管和所述第二P-MOS晶体管与第二单个单元至少部分地交叠，所述第二单个单元横向地邻近于所述第一单个单元，第三存储器单体，所述第三存储器单体包括三个N-MOS晶体管，所述三个N-MOS晶体管形成在所述基板上，并且所述三个N-MOS晶体管以串联的方式连接，并且所述三个N-MOS晶体管平行于所述第一单个单元的长度而布置；以及，一个或更多个连接线，所述一个或更多个连接线将所述三个N-MOS晶体管中的一个N-MOS晶体管的栅极与所述第一P-MOS晶体管的栅极和所述第二P-MOS晶体管的栅极耦合，其中，串联的所述三个N-MOS晶体管包括：与第二N-MOS晶体管共享有源区的第一N-MOS晶体管以及与所述第二N-MOS晶体管共享有源区的第三N-MOS晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美商安纳富来希股份有限公司 非易失性存储器单个单元和阵列架构
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