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摘要：本申请公开了一种外延结构及制作方法、显示芯片，属于半导体技术领域。所述外延结构包括：第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层的一侧具有均匀分布的第一凹陷；量子点结构，位于所述第一掺杂半导体层靠近所述第一凹陷的一侧，所述量子点结构包括第一量子点层，所述第一量子点层包括位于所述第一凹陷内且均匀分布的第一量子点；第二掺杂半导体层，位于所述量子点结构背离所述第一掺杂半导体层的一侧。本申请能够实现低缺陷密度、均匀分布、分布密度可调且掺杂组分可调的量子点，提高显示芯片的发光效率。
主权项：1.一种外延结构，其特征在于，包括：第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层的一侧具有均匀分布的第一凹陷；量子点结构，位于所述第一掺杂半导体层靠近所述第一凹陷的一侧，所述量子点结构包括第一量子点层，所述第一量子点层包括位于所述第一凹陷内且均匀分布的第一量子点；第二掺杂半导体层，位于所述量子点结构背离所述第一掺杂半导体层的一侧。
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百度查询： 甬江实验室 外延结构及制作方法、显示芯片
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