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摘要：本申请提供一种基于硅基填埋扇出封装的双面器件及制备方法，涉及电子制造领域，包括功能区，以及设置在功能区至少一侧的连接区，双面器件包括：晶圆基底，晶圆基底在功能区内设置填埋槽；芯片，芯片设置在填埋槽内，芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面与连接区的晶圆基底表面大致齐平；第一导电图案，第一导电图案设置在第一表面与填埋槽之间，并通过填埋槽的槽壁延伸至连接区；绝缘层，绝缘层设置在芯片背离晶圆基底的一侧，绝缘层内设置有第二导电图案，第二导电图案的一端与第二表面电连接，另一端延伸至连接区。本申请芯片的第二表面与连接区的晶圆基底表面大致齐平，缩短第二导电图案导电通路，提高芯片电性能，降低制造成本。
主权项：1.一种基于硅基填埋扇出封装的双面器件，其特征在于，所述双面器件包括功能区，以及设置在所述功能区至少一侧的连接区，所述双面器件包括：晶圆基底，所述晶圆基底在所述功能区内设置有填埋槽；芯片，所述芯片设置在所述填埋槽内，所述芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述连接区的晶圆基底表面大致齐平；第一导电图案，所述第一导电图案设置在所述第一表面与所述填埋槽之间，并通过所述填埋槽的槽壁延伸至所述连接区；绝缘层，所述绝缘层设置在所述芯片背离所述晶圆基底的一侧，所述绝缘层内设置有第二导电图案，所述第二导电图案的一端与所述第二表面形成电连接，另一端延伸至所述连接区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种基于硅基填埋扇出封装的双面器件及制备方法
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