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摘要：本发明公开了一种以SnO2为基底聚合物界面修饰的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜及其制备方法、太阳电池，所述薄膜是将聚乙烯醇缩丁醛修饰到平面结构的SnO2基底上；再在聚合物聚乙烯醇缩丁醛修饰的SnO2基底上制备CH3NH3PbI3薄膜。本发明通过聚乙烯醇缩丁醛修饰SnO2CH3NH3PbI3界面，降低了CH3NH3PbI3有机阳离子在制备过程中的挥发并钝化了低配位的Pb2+，减少了CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的缺陷。且聚乙烯醇缩丁醛旋涂在SnO2基底上，使CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜在生长阶段能够适当释放薄膜应力，获得质量更好的薄膜。将所述薄膜应用于太阳能电池可以有效提升器件效率和稳定性，促进其商业化的进程。
主权项：1.一种以SnO2为基底且聚合物界面修饰的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述薄膜是以含平面结构SnO2层的结构为基底，在该基底上制备一层聚乙烯醇缩丁醛（PVB）后，再在其上制备CH3NH3PbI3薄膜所得到的结构；采用如下方法制得：（1）将导电玻璃分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声处理，再用氮气吹干，然后再紫外臭氧处理后，将SnO2胶体分散液旋涂到处理后的导电玻璃上，重复若干次，然后退火处理，获得以导电玻璃为基底的SnO2薄膜；（2）以步骤（1）制得的样品为基底，将PVB固体加入异丙醇溶剂中，加热搅拌至完全溶解得到PVB溶液，将其旋涂到基底上，退火处理，获得导电玻璃SnO2PVB薄膜；（3）以步骤（2）制得的样品为基底，在其上采用两步法制备CH3NH3PbI3薄膜，得到以SnO2为基底且聚合物界面修饰的钙钛矿薄膜，即导电玻璃SnO2PVBCH3NH3PbI3。
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百度查询： 中国计量大学 一种以二氧化锡为基底且聚合物界面修饰的钙钛矿薄膜及其制备方法、太阳电池
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