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摘要：本申请实施例公开了一种Micro‑LED显示芯片、显示装置和制备方法，涉及微型显示技术领域，Micro‑LED显示芯片包括了驱动面板、多个LED单元和波长转换层。LED单元之上形成了凹陷区域，至少部分波长转换层填充在凹陷区域内。一方面，能够降低波长转换层在后续的工艺过程中受损的概率；另一方面，能够使波长转换层更加靠近于LED单元的发光面；再一方面，波长转换层可以不采用量子点光刻胶制备，而采用一般胶体时，填充方式可以采取干法刻蚀或者旋涂填充，可以提高量子点的浓度、光扩粒子的配比，一般量子点光刻胶中量子点浓度是500‑600毫克每毫升，本发明量子点浓度可以提升到1‑5克每毫升，同时还可以提高光扩粒子的配比。
主权项：1.一种Micro-LED显示芯片，其特征在于，包括：驱动面板；多个LED单元，排布在所述驱动面板上，每一所述LED单元能够被独立驱动，每一所述LED单元的发光面上形成有凹陷区域；波长转换层，至少部分所述波长转换层填充在所述凹陷区域内；其中，所述波长转换层包括：多个第一波长转换单元，所述第一波长转换单元填充对应的所述LED单元的凹陷区域，所述LED单元发射第一颜色光，所述第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光；所述波长转换层的材料包括波长转换粒子，所述波长转换粒子包括荧光粉和或量子点，所述荧光粉和或所述量子点的浓度为0.8克毫升-5克毫升；其中，所述波长转换层是通过干法刻蚀制备而成的；其中，所述LED单元的尺寸为0.1微米-10微米。
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百度查询： 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法
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