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摘要：本发明提供了一种多层碳化硅刻蚀体材料的制备方法，该方法制得的多层碳化硅刻蚀体材料具有高纯度、高致密性的特点，避免了多层界面层的影响，使得形成的多界面层多层碳化硅刻蚀体材料的热导率较高，能够在长时间的刻蚀环境中保持高速运行。
主权项：1.一种多层碳化硅刻蚀体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将石墨基底放置于沉积炉中，让其与所述沉积炉进气口处于平行状态，真空状态下维持所述沉积炉内的压力为150Pa~350Pa，温度为400~600℃，持续15~30min；通入氩气至沉积压力，并升温至沉积温度；（2）将MTS和氢气以摩尔质量比为1:20-40通入到步骤（1）的沉积炉中，维持步骤（1）中的沉积压力和沉积温度，进行沉积处理，获得附着于所述石墨基底的第一碳化硅层；（3）将步骤（2）所得的物料在马弗炉中进行烧石墨处理，获得所述第一碳化硅层；（4）将步骤（3）所得的第一碳化硅层再次放入所述沉积炉中作为衬底，通入摩尔质量比为1:1-19的MTS和氢气，维持步骤（1）中的沉积压力和沉积温度，再次进行沉积处理，获得附着于所述第一碳化硅层的第二碳化硅层；（5）重复步骤（2）和（4）2~3次，获得所述第一碳化硅层与所述第二碳化硅层依次层叠设置的多层碳化硅层，将其进行高温热处理，获得多层碳化硅刻蚀体材料；其中，所述第二碳化硅层的（111）晶面取向的峰值占比为85%~89%，（222）晶面取向的峰值占比为0.5%~1.5%；所述第二碳化硅层包含的晶粒为柱状晶，所述柱状晶的宽度为0.5μm~1.5μm；所述第一碳化硅层包含的晶粒为颗粒状，其晶粒尺寸为0.5μm~1.5μm；在步骤（1）、步骤（2）和步骤（4）中，所述沉积处理的条件包括：所述沉积温度为900℃~1650℃，所述沉积压力为9500Pa~80000Pa，沉积时间为4h~12h；在步骤（5）中，所述高温热处理的过程中通入氩气，高温热处理的温度为1700-1900℃，持续时间为4-6h。
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百度查询： 湖南德智新材料有限公司 一种多层碳化硅刻蚀体材料的制备方法和应用
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