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摘要：本发明公开了一种最小死区三维沟槽电极硅探测器，其探测单元包括长方体状的探测基体，探测基体横截面的中间、侧边中间和四角均设有柱状电极，探测基体从上到下刻蚀有井字形电极，探测基体从下到上刻蚀有多边形电极，井字形电极的底部与多边形电极的顶部抵靠，柱状电极顶部和井字形电极顶部均附着有铝电极层，铝电极层间的探测基体上附着有二氧化硅绝缘层，柱状电极底部、探测基体底部和多边形电极底部均附着有二氧化硅保护层；本发明内部死区面积较小，对电荷的收集效率较高，探测单元彼此之间不会相互干扰，独立性较好。
主权项：1.最小死区三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，其探测单元包括长方体状的探测基体（4），所述探测基体（4）从上到下刻蚀有井字形电极（1），所述探测基体（4）从下到上刻蚀有多边形电极（3），所述井字形电极（1）底部与多边形电极（3）顶部抵靠，所述探测基体（4）横截面的中间、四条侧边的中间和四个角均设有柱状电极（2），所述柱状电极（2）贯穿探测基体（4）上下表面，所述井字形电极（1）和探测基体（4）中间的柱状电极（2）同轴，所述井字形电极（1）顶部和柱状电极（2）顶部均附着有铝电极层，所述铝电极层之间的探测基体（4）上附着有二氧化硅绝缘层，所述探测基体（4）底部、多边形电极（3）底部和柱状电极（2）底部均设有二氧化硅保护层；所述多边形电极（3）包括四个横截面呈U形的连接部（3-2），所述四个连接部（3-2）开口朝内呈环形分布，所述四个连接部（3-2）的开口处通过直线部（3-1）连接形成多边形，所述多边形与探测基体（4）中间的柱状电极（2）同轴，所述四个连接部（3-2）的闭口处均设有两个朝向探测基体（4）侧边的延伸部（3-3），所述直线部（3-1）、延伸部（3-3）均与井字形电极（1）的延伸线重合；所述探测基体（4）为p型轻掺杂，所述井字形电极（1）和多边形电极（3）为n型重掺杂，所述柱状电极（2）为p型重掺杂；所述柱状电极（2）与井字形电极（1）的垂直距离为30～50µm。
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