买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法，属于微波及微电子封装技术领域，包括微型化封装发射子阵封装体，并设置第一SIW结构及第一波导转换结构；微型化封装得到接收子阵封装体，并设置第二SIW结构及第二波导转换结构；采用晶圆级键合工艺，将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装，并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统，通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺，解决W波段多通道电路的高密度封装；同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构，通过晶圆级键合，实现W波段信号在垂直方向高品质传输，提高W波段多通道收发系统的集成度。

主权项：1.一种W波段多通道收发系统的制备方法，其特征在于，所述方法包括：采用硅基MEMS三维异构集成工艺微型化封装发射子阵，得到发射子阵封装体，并在所述发射子阵封装体内设置第一SIW结构005及第一波导转换结构006；采用硅基MEMS三维异构集成工艺微型化封装接收子阵，得到接收子阵封装体，并在所述接收子阵封装体内设置第二SIW结构015、第二波导转换结构016和低噪声放大微波单片；采用晶圆级键合工艺，将所述发射子阵封装体和所述接收子阵封装体进行堆叠封装，并使所述第一波导转换结构006与所述第二波导转换结构016上下垂直连通，所述第一SIW结构005与所述第二SIW结构015分设在所述第一波导转换结构006和所述第二波导转换结构016相对的两侧；所述发射子阵封装体的制备方法包括：采用干法刻蚀、溅射和电镀，制备第一硅基板001、第二硅基板002、第三硅基板003和第四硅基板004，并在其中的硅基板上制备第一SIW结构005和第一波导转换结构006；采用晶圆级键合工艺将第一硅基板001和第二硅基板002键合，并形成腔体；采用晶圆级键合工艺将第三硅基板003和第四硅基板004键合，形成盖板；采用微组装工艺，将开关控制芯片008和功率放大微波单片007胶粘在各硅基板形成腔体中，并与第二硅基板002进行键合；采用晶圆级键合工艺，将第三硅基板003与第二硅基板002进行晶圆级键合，实现发射子阵的封装，电信号通过各硅基板内的垂直硅通孔010实现上下互连；所述发射子阵封装体包括依次堆叠的第一硅基板001、第二硅基板002、第三硅基板003和第四硅基板004；所述第一硅基板001作为底板，以胶粘所述功率放大微波单片007和所述开关控制芯片008；所述第二硅基板002和所述第三硅基板003上设有垂直连通孔，以形成封装所述功率放大微波单片007和所述开关控制芯片008的腔体；所述第四硅基板004作为盖板，以封闭所述功率放大微波单片007和所述开关控制芯片008；所述第一SIW结构005和第一波导转换结构006设置于所述第二硅基板002上，且所述第一SIW结构005和第一波导转换结构006位于四周垂直硅通孔010围设的屏蔽区域内；所述接收子阵封装体包括依次堆叠的第五硅基板011、第六硅基板012、第七硅基板013和第八硅基板014；所述第五硅基板011作为底板，以胶粘所述低噪声放大微波单片；所述第六硅基板012和所述第七硅基板013上设有垂直连通孔，以形成封装所述低噪声放大微波单片的腔体；所述第八硅基板014作为盖板，以封闭所述低噪声放大微波单片；所述第二SIW结构015和第二波导转换结构016设置于所述第六硅基板012上，且所述第二SIW结构015和第二波导转换结构016位于四周的垂直硅通孔010构成屏蔽区域内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种W波段多通道收发系统及制备方法