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摘要：本实用新型涉及一种正负路对精度高的电路，包括：正电压输入模块依次通过MOS管Q1的漏极以及MOS管Q1的源极与正电压输出模块相连，第一控制单元的输入端配置为与正电压输出模块相连，第一控制单元的输出端配置为与MOS管Q1的栅极相连；负电压输入模块依次通过MOS管Q2的漏极以及MOS管Q2的源极与负电压输出模块相连，第二控制单元的输入端配置为分别与正电压输出模块以及负电压输出模块相连，第二控制单元的输出端配置为与MOS管Q2的栅极相连。本实用新型解决了现有技术中存在单电源输出精度误差大，且双路单电源对称精度低的问题。
主权项：1.一种正负路对精度高的电路，其特征在于，包括：正电压输入模块1、MOS管Q12、正电压输出模块3、第一控制单元、负电压输入模块4、MOS管Q25、负电压输出模块6以及第二控制单元，其中，所述正电压输入模块1依次通过所述MOS管Q12的漏极以及所述MOS管Q12的源极与所述正电压输出模块3相连，所述第一控制单元的输入端配置为与所述正电压输出模块3相连，以采集所述正电压输出模块3处的电压，所述第一控制单元的输出端配置为与所述MOS管Q12的栅极相连，以根据采集到的所述正电压输出模块3处的电压控制所述MOS管Q12的导通深度；所述负电压输入模块4依次通过所述MOS管Q25的漏极以及所述MOS管Q25的源极与所述负电压输出模块6相连，所述第二控制单元的输入端配置为分别与所述正电压输出模块3以及所述负电压输出模块6相连，以采集所述正电压输出模块3以及所述负电压输出模块6之间的电压，所述第二控制单元的输出端配置为与所述MOS管Q25的栅极相连，以根据采集到的所述正电压输出模块3以及所述负电压输出模块6之间的电压控制所述MOS管Q25的导通深度。
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