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摘要：本发明属于MOS器件制造技术领域，具体的说是一种MOS器件制造方法，包括以下步骤：首先需要制造一个硅晶片；然后需要在其表面制造一层绝缘材料；最后将芯片和绝缘层封装在一个金属外壳中；为解决存在气泡或空洞导致封装材料与晶片之间的粘合不良的问题，通过电脑程序控制第二电机，通过第二电机带动检测探头运动；检测完成后驱动翻料辊带动封装工件翻面；若该检测探头检测结果合格，翻面后，需要通过电脑程序控制，另一个检测探头对封装工件翻面进行检测；若该检测探头检测结果不合格，翻面后，需要通过电脑程序控制，另一个检测探头不会开启，最终封装工件输送至剔除机构，任何一个检测结果不合格，均进行剔除，实现了对封装工件的检测。
主权项：1.一种MOS器件制造方法，其特征在于：该加工方法包括以下步骤：S1：芯片制造：首先，需要制造一个硅晶片，这个晶片将被用作电子的发射和接收部件，这个过程采用精密的电子束光刻技术、掺杂技术和薄膜沉积工艺来实现；S2：绝缘层制造：在芯片制造完成后，需要在其表面制造一层绝缘材料，以防止电子在芯片表面流动，从而影响性能，这个过程采用高温烧结和掺杂技术来实现；S3：封装：最后将芯片和绝缘层放入一个金属外壳中，这个过程需要精密的焊接技术，保证芯片和绝缘层与金属外壳有良好的接触。
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百度查询： 江苏东海半导体股份有限公司 一种MOS器件制造方法
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