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摘要：本发明公开了一种氧化镓MOSFET沟道型器件的制造方法，属于半导体技术领域，主要包括：在6吋碳化硅基板上键合4吋氧化镓外延层；在所述氧化镓外延层上设计源极、栅极以及漏极，其中将栅极设计为棋盘矩阵型，增加栅极金属的肖特基接触面积。该发明外延结构采用超宽禁带半导体材料氧化镓，结合栅极的特殊设计，对于高功率器件的崩溃电压有显着的提升。同时让小于6吋外延晶圆片兼容6吋半导体工艺流程。
主权项：1.一种氧化镓MOSFET沟道型器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在6吋碳化硅基板上键合4吋氧化镓外延层；在所述氧化镓外延层上设计源极、栅极以及漏极，其中所述栅极的设计包括：将栅极设计为棋盘矩阵型，增加栅极金属的肖特基接触面积。
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百度查询： 成都海威华芯科技有限公司 一种氧化镓MOSFET沟道型器件的制造方法
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