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摘要：本发明公开了一种在阻挡区域中具有凹槽的显示设备，该显示设备包括基板，基板包括显示区和与显示区相邻的非显示区。非显示区包括阻挡区域。有机层设置在基板上。发射层设置在基板的显示区中。辅助图案设置在基板的非显示区的阻挡区域中。薄膜封装层设置在基板上并与发射层和阻挡区域重叠。有机层具有穿透阻挡区域中的有机层的整个厚度的凹槽。辅助图案与凹槽重叠。辅助图案包含与设置在基板的显示区中的栅电极相同的材料。

主权项：1.一种显示设备，包括：基板，所述基板包括显示区和与所述显示区相邻的非显示区，其中所述非显示区包括阻挡区域；设置在所述基板上的有机层；设置在所述基板的所述显示区中的发射层；设置在所述基板的所述非显示区的所述阻挡区域中的辅助图案；和设置在所述基板上且与所述发射层和所述阻挡区域重叠的薄膜封装层，其中：所述有机层具有穿透所述阻挡区域中的所述有机层的整个厚度的凹槽，所述辅助图案与所述凹槽重叠，绝缘层设置在所述辅助图案与所述凹槽的底表面之间，所述凹槽的所述底表面与所述绝缘层直接接触，并且其中所述有机层包括设置在所述绝缘层上的第一夹层绝缘层和设置在所述第一夹层绝缘层上的第二夹层绝缘层。

全文数据：在阻挡区域中具有凹槽的显示设备相关申请的交叉引用本申请要求于2018年1月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0009305号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。技术领域本发明的示例性实施例涉及一种显示设备，更具体地涉及一种在阻挡区域中具有凹槽的显示设备。背景技术显示设备可能渗入水分或氧气，并且当水分或氧气从外部流入时，发射层可能被损坏或信号线可能被氧化。显示区可以被封装，这可以减少水分或氧气的渗入并且可以延长显示设备的寿命。当显示区被封装层封装时，水分或氧气可能通过显示设备中包括的有机层流入显示设备中。发明内容本发明的示例性实施例提供了一种阻挡水分或氧气流入由封装层包围的显示区内的显示设备。根据本发明示例性实施例的显示设备包括基板，该基板包括显示区和与显示区相邻的非显示区。非显示区包括阻挡区域。有机层设置在基板上。发射层设置在基板的显示区中。辅助图案设置在基板的非显示区的阻挡区域中。薄膜封装层设置在基板上并与发射层和阻挡区域重叠。有机层具有穿透阻挡区域中的有机层的整个厚度的凹槽。辅助图案与凹槽重叠。辅助图案包含与设置在基板的显示区中的栅电极相同的材料。封装层可以包括第一无机封装层和第二无机封装层。有机封装层可以设置在第一无机封装层和第二无机封装层之间。有机封装层可以基本上覆盖显示区及非显示区的一部分。阻挡区域可以与有机封装层重叠。显示设备可以包括设置在基板上的半导体层。第一栅极绝缘层可以设置在半导体层上。栅电极可以设置在第一栅极绝缘层上。第二栅极绝缘层可以设置在栅电极上。存储电极可以设置在第二栅极绝缘层上。第一绝缘层可以设置在存储电极上。输入电极和输出电极可以设置在第一绝缘层上并且可以连接到半导体层。第二绝缘层可以设置在输入电极和输出电极上。数据线和驱动电压线可以设置在第二绝缘层上。有机层可以包括设置在第二绝缘层上的第一夹层绝缘层和设置在第一夹层绝缘层上的第二夹层绝缘层。辅助图案可以包含与栅电极相同的材料。辅助图案可以包括彼此重叠的第一层和第二层，并且第二栅极绝缘层设置在第一层和第二层之间。第一层可以包含与栅电极相同的材料。第二层可以包含与存储电极相同的材料。辅助图案可以设置在第一绝缘层上。辅助图案可以包含与输入电极和输出电极相同的材料。辅助图案可以包括彼此重叠的第一层和第二层，并且第二绝缘层设置在第一层和第二层之间。第一层可以包含与输入电极和输出电极相同的材料。第二层可以包含与数据线和驱动电压线相同的材料。辅助图案可以包含与数据线和驱动电压线相同的材料。显示设备可以包括设置在非显示区中的公共电压传输线。阻挡区域可以设置在显示区和公共电压传输线之间。显示设备可以包括设置在非显示区中的第一间隔件和第二间隔件。第一间隔件可以与公共电压传输线重叠。第二间隔件可以与第一间隔件相比与显示区分离更远。根据本发明示例性实施例的显示设备包括基板，该基板包括显示区和与显示区相邻的非显示区。非显示区包括阻挡区域。有机层设置在基板上。发射层设置在基板的显示区中。薄膜封装层设置在基板上并与发射层和阻挡区域重叠。设置在显示区上的有机层的第一厚度大于设置在阻挡区域中的有机层的第二厚度。有机层具有穿透阻挡区域中的有机层的整个厚度的凹槽。显示设备可以包括设置在非显示区的阻挡区域中的辅助图案。辅助图案可以与凹槽重叠。辅助图案可以包含与设置在基板的显示区中的电极层相同的材料。根据本发明示例性实施例的显示设备包括基板，该基板包括显示区和与显示区相邻的非显示区。非显示区包括阻挡区域。绝缘层设置在基板上。有机层设置在显示区和非显示区中的绝缘层上。公共电极设置在有机层上。无机封装层设置在公共电极上。公共电极和无机封装层在阻挡区域中的有机层中限定凹槽。公共电极的限定凹槽的底表面的部分与设置在基板上的绝缘层直接接触。辅助图案可以设置在基板和绝缘层之间。辅助图案可以沿着与基板的上表面正交的方向与凹槽重叠。有机层可以包括第一夹层绝缘层和设置在第一夹层绝缘层上的第二夹层绝缘层。有机封装层可以设置在显示区和非显示区中的无机封装层上。有机封装层可以填充凹槽。根据本发明的示例性实施例，显示设备可以阻止水分或氧气流入由封装层包围的显示区中。附图说明通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征将变得更加明显，其中：图1是根据本发明示例性实施例的显示设备的布局图。图2是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图3是图2的一部分的截面图。图4是水分或氧气的示例性路径的示意图。图5是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图6是图5的一部分的截面图。图7是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图8是图7的一部分的截面图。图9是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图10是图9的一部分的截面图。图11是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图12是图11的一部分的截面图。图13是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图14是图13的一部分的截面图。图15例示根据本发明示例性实施例的显示设备的制造方法。图16是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。图17是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。图18是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。图19是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。图20是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。具体实施方式下面将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施例。在这方面，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为受限于本文描述的本发明示例性实施例在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。为了描述清楚，可能夸大附图中元件的尺寸。应当理解，当诸如层、膜、区域或板的部件被称为在另一部件“上”时，该部件可以直接在另一部件上，或者可以存在中间部件。在整个说明书中，短语“在平面上”或“在平面图中”可以指从顶部观察物体部分，并且短语“在截面上”或“截面图”可以指观察其中物体部分被从侧面竖直切割的截面。下面将参考图1至图3更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图1是根据本发明示例性实施例的显示设备的布局图。图2是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。图3是图2的一部分的截面图。参考图1，根据本发明示例性实施例的显示设备100可包括：显示区DA，其可被配置为显示图像；和非显示区NDA，其设置在显示区DA的外侧。例如，非显示区NDA可以与显示区DA相邻。非显示区NDA可以在平面图中布置在显示区DA的四个侧边处。替代地，非显示区NDA可以在平面图中布置在显示区DA的少于四个侧边例如，在三个侧边处。阻挡区域VA可以设置在非显示区NDA中。阻挡区域VA可以被配置为阻挡水分或氧气的流入例如，进入显示区DA。公共电压传输线500可以在非显示区NDA的区中传输公共电压。阻挡区域VA可以包围显示区DA，并且可以设置在显示区DA和公共电压传输线500之间。在本发明的示例性实施例中，公共电压传输线500也包围显示区DA，然而，本发明的示例性实施例不限于此，并且公共电压传输线500可以与显示区DA的一部分相邻。将信号传输到显示区DA的驱动器可以设置在非显示区NDA中。参考图2，根据本发明示例性实施例的显示设备100可包括基板110。基板110可以是柔性的并且可包含至少一种柔性材料。基板110可以包括彼此重叠例如，彼此堆叠的多个绝缘膜，并且可以进一步包括设置在重叠的绝缘膜之间的阻挡膜。缓冲层120可以设置在基板110上。缓冲层120可以具有包括绝缘层的单层结构。绝缘层可以包含氮化硅SiNx或氧化硅SiOx。替代地，绝缘层可以具有包含氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的多层结构。缓冲层120可以阻止杂质或水分的渗入。例如，缓冲层120可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备100的发射层或信号线。第一半导体层135和第二半导体层136可以设置在显示区DA中的缓冲层120上。第一半导体层135和第二半导体层136均可以包含多晶硅或氧化物半导体。作为示例，氧化物半导体可以包括基于钛Ti、铪Hf、锆Zr、铝Al、钽Ta、锗Ge、锌Zn、镓Ga、锡Sn和铟In的氧化物中的一种，或其复合氧化物。第一半导体层135可以包括第一沟道区1355，以及设置在第一沟道区1355的相反侧的第一源区1356和第一漏区1357。第二半导体层136可以包括第二沟道区1365，以及设置在第二沟道区1365的相反侧的第二源区1366和第二漏区1367。第一半导体层135的第一沟道区1355和第二半导体层136的第二沟道区1365可以是其中未掺杂杂质的区域，并且第一半导体层135的第一源区1356和第一漏区1357以及第二半导体层136的第二源区1366和第二漏区1367可以是其中掺杂导电杂质的区域。第一栅极绝缘层140可以设置在第一半导体层135和第二半导体层136上。第一栅电极125和第二栅电极126可以设置在显示区DA的第一栅极绝缘层140上，并且第一辅助图案400可以设置在非显示区NDA的阻挡区域VA的第一栅极绝缘层140上。第一栅电极125和第二栅电极126在本文中可称为第一栅极线。第一栅电极125可以与第一沟道区1355重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向，并且第二栅电极126可以与第二沟道区1365重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第一辅助图案400可以包含与第一栅电极125和第二栅电极126相同的材料。这可以由第一辅助图案400与第一栅电极125和第二栅电极126基本上同时形成例如，通过使用相同的材料而获得。第二栅极绝缘层142可以设置在第一栅电极125和第二栅电极126以及第一辅助图案400上。第一栅极绝缘层140和第二栅极绝缘层142均可以具有包含氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层，或者替代地，第一栅极绝缘层140和第二栅极绝缘层142中的每个可以具有包含氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的多层结构。存储电极127可以设置在第二栅极绝缘层142上。存储电极127在本文中可以称为第二栅极线。第一绝缘层150可以设置在存储电极127上。第一绝缘层150可以具有包含氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层结构，或者替代地，第一绝缘层150可以具有包含氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的多层结构。第一栅极绝缘层140、第二栅极绝缘层142和第一绝缘层150具有与第一半导体层135的第一源区1356重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第一接触孔56、与第一半导体层135的第一漏区1357重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第二接触孔57、与第二半导体层136的第二源区1366重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第三接触孔66以及与第二半导体层136的第二漏区1367重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第四接触孔67。第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87可以形成在显示区DA的第一绝缘层150上，并且公共电压传输线500可以形成在非显示区NDA的第一绝缘层150上。第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87可以称为第一数据线。公共电压传输线500可以包含与第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87相同的材料。这可以由公共电压传输线500、第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87基本上同时形成例如，通过使用相同的材料而获得。第一输入电极76可以通过第一接触孔56连接到第一半导体层135的第一源区1356。第一输出电极77可以通过第二接触孔57连接到第一半导体层135的第一漏区1357。第二输入电极86可以通过第三接触孔66连接到第二半导体层136的第二源区1366。第二输出电极87可以通过第四接触孔67连接到第二半导体层136的第二漏区1367。第一输出电极77连接到第二栅电极126。例如，第一输出电极77可以直接连接到和或电连接到第二栅电极126。第二绝缘层152可以设置在第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87上。第二绝缘层152可以具有包含氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层结构，或者可以具有包含氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的多层结构。第一夹层绝缘层160可以设置在第二绝缘层152上。第一夹层绝缘层160可以包含有机材料。第二绝缘层152和第一夹层绝缘层160可以具有与第一输入电极76重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第五接触孔71、与第二输入电极86重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第六接触孔72，以及与第二输出电极87重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第七接触孔73。第一绝缘层150、第二绝缘层152和第一夹层绝缘层160可以具有与存储电极127重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第八接触孔74。数据线171、驱动电压线172和输出构件173可以设置在第一夹层绝缘层160上。数据线171、驱动电压线172和输出构件173均可以称为第二数据线。数据线171可以通过第五接触孔71连接到第一输入电极76。驱动电压线172可以通过第六接触孔72连接到第二输入电极86，并且可以通过第八接触孔74连接到存储电极127。输出构件173可以通过第七接触孔73连接到第二输出电极87。第二夹层绝缘层180可以设置在数据线171、驱动电压线172和输出构件173上。第二夹层绝缘层180可以包含有机材料。第二夹层绝缘层180可以具有与输出构件173重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的第九接触孔81。凹槽90可以形成在第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中。第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的每个可以包括设置在非显示区NDA的阻挡区域VA中的有机层。阻挡区域VA可以与薄膜封装层80重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。下面更详细地描述薄膜封装层80。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第一辅助图案400重叠。根据本发明的示例性实施例，第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180均可以包含有机材料，并且在本文中可以统称为有机层。例如，第一夹层绝缘层160可以包含与包含在第二夹层绝缘层180中的有机材料不同的有机材料。替代地，第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180可以包含彼此相同的有机材料。形成在阻挡区域VA中的凹槽90可以包围显示区DA，并且可以阻止可能通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入显示区DA中的外部水分和空气。例如，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。像素电极710可以设置在设置于显示区DA中的第二夹层绝缘层180上。像素电极710可以通过形成在第二夹层绝缘层180中的第九接触孔81连接到输出构件173。像素电极710可以是有机发光元件的阳极。与公共电压传输线500接触例如，直接接触的第一电极构件501可以设置在设置于非显示区NDA中的第二夹层绝缘层180上。第一电极构件501可以包含与像素电极710相同的材料。这可以通过第一电极构件501和像素电极710基本上同时形成例如，通过使用相同的材料而获得。像素限定层190可以设置在像素电极710上。像素限定层190可以具有与像素电极710重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的开口195。像素限定层190的开口195可以设置在显示区DA上，并且像素限定层190可以主要设置在显示区上。然而，像素限定层190可以与非显示区NDA的至少一部分重叠例如，可以与阻挡区域VA的一部分重叠。像素限定层190可以包含聚丙烯酸酯基树脂或聚酰亚胺基树脂，以及二氧化硅基无机材料。有机发射层720可以设置在像素限定层190的开口195中。有机发射层720可以包括多个层，例如发射层以及空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一个或多个。在有机发射层720包括上述所有层的情况下，空穴注入层可以设置在作为阳极的像素电极710上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层可以依次堆叠在其上。公共电极730可以设置在像素限定层190和有机发射层720上。公共电极730可以是有机发光元件的阴极。因此，像素电极710、有机发射层720和公共电极730可以包括在有机发光元件70中。根据有机发光元件70发光的方向，有机发光二极管显示器可以具有例如顶部显示器类型、后部显示器类型和双侧显示器类型。在顶部显示器类型的情况下，像素电极710可以是反射层，并且公共电极730可以是半透明层或透明层。在底部显示器类型的情况下，像素电极710可以是半透明层，并且公共电极730可以是反射层。在双侧显示器类型的情况下，像素电极710和公共电极730可以是透明层或半透明层。反射层和半透明层可均包含镁Mg、银Ag、金Au、钙Ca、锂Li、铬Cr和铝Al中的一种或多种金属，或者其合金。反射层的光反射率和半透明层的透光率可以由其厚度决定。作为示例，半透明层可以具有200nm或更小的厚度。随着厚度减小，光的透射率可以增大，但是如果厚度相对较小，则电阻可能增大。透明层可以包含诸如ITO氧化铟锡、IZO氧化铟锌、ZnO氧化锌或氧化铟的材料。公共电极730可以形成在基本上整个显示区DA上，并且可以延伸到非显示区NDA。公共电极730可以与第一电极构件501直接接触。公共电极730可以通过与公共电压传输线500直接接触的第一电极构件501接收传输到公共电压传输线500的公共电压。如果栅极开启信号被施加到第一栅电极125并且数据信号被从数据线171施加到第一输入电极76，则数据信号可以被传输到第一输出电极77，然后可以被施加到第二栅电极126。施加到驱动电压线172的驱动电压可以施加到第二输入电极86，然后可以通过第二半导体层136的第二沟道区1365施加到第二输出电极87。施加到第二输出电极87的电压可以通过输出构件173传输到像素电极710，并且公共电压可以通过公共电压传输线500施加到公共电极730。像素电极710可以是空穴注入电极的阳极，并且公共电极730可以是电子注入电极的阴极。来自像素电极710和公共电极730的空穴和电子可以分别注入到有机发射层720中。当包括注入的空穴和电子的激子从激态变为基态时，可以实现发光。电容器Cst可以连接在第二栅电极126和存储电极127之间。电容器Cst可以提供电荷并保持施加到第二栅电极126的数据信号。第一间隔件SP1和第二间隔件SP2可以设置在非显示区NDA的外部部分中。第一间隔件SP1可以与公共电压传输线500重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向，并且第二间隔件SP2可以设置为比第一间隔件SP1更远离显示区DA。例如，第二间隔件SP2可以设置在第一间隔件SP1的外侧。例如，第一间隔件SP1可以比第二间隔件SP2相对更靠近凹槽90，并且第一间隔件SP1和第二间隔件SP2中的每个可以在与非显示区NDA的阻挡区域VA隔开的区中定位在非显示区NDA中。第一间隔件SP1可以包含与设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180相同的材料。这可以通过第一间隔件SP1、第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180基本上同时形成例如，通过使用相同的材料而获得。第二间隔件SP2可以包含与设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160、第二夹层绝缘层180和像素限定层190以及附加绝缘层相同的材料。这可以通过第二间隔件SP2、第一夹层绝缘层160、第二夹层绝缘层180、像素限定层190和附加绝缘层基本上同时形成例如，通过使用相同的材料而获得。薄膜封装层80可以设置在公共电极730上。薄膜封装层80可以通过交替堆叠至少一个无机层和至少一个有机层来形成，并且多个无机层或多个有机层可以交替地且反复地堆叠。在本发明的示例性实施例中，薄膜封装层80可以包括第一无机封装层810a和第二无机封装层810b。作为示例，薄膜封装层80可以包括设置在第一无机封装层810a和第二无机封装层810b之间的有机封装层820。例如，第二无机封装层810b可以形成在有机封装层820的上表面和侧表面上。第一无机封装层810a可以共形地形成在凹槽90的侧表面和底表面上。第一无机封装层810a可以与形成在凹槽90的侧表面和底表面上的公共电极730直接接触。第一无机封装层810a和第二无机封装层810b可以形成在基板110的基本上整个表面上。第一无机封装层810a和第二无机封装层810b可以设置在第一间隔件SP1和第二间隔件SP2上，然而，有机封装层820可以不设置在非显示区NDA中的第一间隔件SP1和第二间隔件SP2的外部。例如，有机封装层820可以沿着平行于基板110的上表面的方向与第一间隔件SP1和第二间隔件SP2间隔开。因此，有机封装层820可以不与第一间隔件SP1或第二间隔件SP2重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。当形成有机封装层820时，第一间隔件SP1和第二间隔件SP2可以用作阻挡件，使得包含在有机封装层820中的有机材料不会溢出，并且因为有机材料不会溢出到第一间隔件SP1和第二间隔件SP2的外部，所以有机封装层820可以形成为不设置在第一间隔件SP1和第二间隔件SP2的外部部分。凹槽90可以形成在设置在非显示区NDA的阻挡区域VA处的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中。例如，凹槽90可以完全穿透第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的每个例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。形成在阻挡区域VA中的凹槽90可以与薄膜封装层80的第一无机封装层810a和第二无机封装层810b以及有机封装层820重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止外部的水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入被薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。例如，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。当凹槽90与设置在阻挡区域VA处的第一辅助图案400重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向时，凹槽90的深度可以大于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度的总和。这样，由于形成于设置在阻挡区域VA处的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度减小，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止外部的水分和空气流过位于凹槽90中的有机材料。参考图2作为示例描述设置在显示设备的显示区DA处的像素的结构，并且根据本发明示例性实施例的显示设备的像素结构不限于参考图2描述的结构。信号线和有机发光元件可以在可由本领域技术人员修改或实现的范围内以各种配置形成。例如，参考图2，作为显示设备，包括两个薄膜晶体管TFT和一个电容器的显示设备被作为示例描述，然而本发明的示例性实施例不限于此。例如，根据本发明示例性实施例的显示设备不限于特定数量的薄膜晶体管、电容器或导线。下面参考图3更详细地描述阻挡区域VA。参考图3，形成在设置于阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90可以与薄膜封装层80的第一无机封装层810a和第二无机封装层810b以及有机封装层820重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA处的第一辅助图案400重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第一辅助图案400可以包含与设置在显示区DA中的第一栅电极125和第二栅电极126相同的材料。这可以通过第一辅助图案400、第一栅电极125和第二栅电极126基本上同时形成例如，通过使用相同的材料而获得。作为示例，当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止外部水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。当凹槽90与设置在阻挡区域VA处的第一辅助图案400重叠时，第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1可以大于凹槽90通过第一辅助图案400的台阶形成的第二厚度D2。例如，由于形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度小于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止外部水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。根据本发明示例性实施例的显示设备可包括基板110，其包括显示区DA和与显示区DA相邻的非显示区NDA。非显示区NDA可以包括阻挡区域VA。绝缘层例如，绝缘层140、142、150和152中的至少一个可以设置在基板110上。有机层例如，第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个可以在显示区DA和非显示区NDA中设置在绝缘层上。公共电极730可以设置在有机层上。无机封装层例如，第一无机封装层810a可以设置在公共电极730上。公共电极730和第一无机封装层810a可以在阻挡区域VA中的有机层中限定凹槽90。公共电极730的限定凹槽90的底表面的部分可以与设置在基板110上的绝缘层例如，与第二绝缘层152直接接触。辅助图案例如，第一辅助图案400可以设置在基板110和绝缘层之间。第一辅助图案400可以沿着与基板110的上表面正交的方向与凹槽90重叠。有机层可以包括第一夹层绝缘层160和设置在第一夹层绝缘层160上的第二夹层绝缘层180。根据本发明的示例性实施例，有机封装层820可以在显示区DA和非显示区NDA中设置在第一无机封装层810a上。有机封装层820可以填充凹槽90。例如，有机封装层820可以在阻挡区域VA中共形地形成在公共电极730上。下面将参考图4更详细地描述有机材料残留在凹槽91中的示例。图4是水分或氧气的示例性路径的示意图。参考图4，当形成不与辅助图案重叠并且不与凹槽91下方的绝缘层直接接触的凹槽91时，有机层可能残留在凹槽91中，并且从外部流入的水分或氧气P可以移动通过残留的有机层例如，可以在凹槽91下方通过。例如，残留在凹槽91中的有机材料可以是从外部流入的水分或氧气P的移动路径。然而，在根据本发明示例性实施例的显示设备中，当形成在阻挡区域VA中的凹槽90形成为与第一辅助图案400重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向时，凹槽90的深度可以较浅，同时仍然阻挡水分或氧气的渗入。因此，与通过曝光形成凹槽时具有相对较深的深度的凹槽例如，凹槽91相比，可以降低有机材料残留例如，在凹槽90下方的可能性。作为示例，减小凹槽90下方的绝缘层例如，第二绝缘层152与凹槽90的底部水平面之间的距离可以阻止水分或氧气流过凹槽90下方的空间。例如，凹槽90的最底部水平面可以与凹槽90下方的绝缘层例如，第二绝缘层152直接接触。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。下面将参考图5和图6更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图5是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图6是图5的一部分的截面图。下面参考图5和图6描述的显示设备类似于上面参考图2和图3描述的显示设备。因此，与上面参考图2和图3描述的内容相同或基本相同的对部件的重复描述可以在下面参考图5和图6省略。参考图5和图6，根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第二辅助图案401。第二辅助图案401可以包括设置在第一栅极绝缘层140和第二栅极绝缘层142之间的第一层401a，以及与第一层401a重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向且设置在第二栅极绝缘层142和第一绝缘层150之间的第二层401b。第一层401a可以沿平行于基板110的上表面的方向具有比第二层401b的宽度宽的宽度。第二辅助图案401的第一层401a可以与显示区DA的第一栅电极125和第二栅电极126基本上同时形成，并且可以包含与显示区DA的第一栅电极125和第二栅电极126相同的材料。第二辅助图案401的第二层401b可以与显示区DA的存储电极127基本上同时形成，并且可以包含与显示区DA的存储电极127相同的材料。参考图6，形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90可以与薄膜封装层80的第一无机封装层810a、第二无机封装层810b和有机封装层820重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第二辅助图案401重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。凹槽90可以形成在设置于与薄膜封装层80重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中，因此，可以阻止外部水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第二辅助图案401重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。由于第二辅助图案401包括彼此重叠的第一层401a和第二层401b，所以第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1可以大于凹槽90通过第一层401a和第二层401b的台阶形成的第二厚度D2。因此，由于形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度小于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止外部水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分和氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。下面将参考图7和图8更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图7是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图8是图7的一部分的截面图。下面参考图7和图8描述的显示设备类似于上面参考图2和图3描述的显示设备。因此，与上面参考图2和图3描述的内容相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图7和图8省略。参考图7和图8，根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第三辅助图案402。第三辅助图案402可以设置在第一绝缘层150和第二绝缘层152之间。第三辅助图案402可以与显示区DA中的第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87基本上同时形成，并且可以包含与显示区DA中的第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87相同的材料。参考图8，形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90可以与薄膜封装层80的第一无机封装层810a和第二无机封装层810b以及有机封装层820重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第三辅助图案402重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止外部水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入被薄膜封装层80覆盖的显示区DA。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第三辅助图案402重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1可以大于凹槽90通过第三辅助图案402的台阶形成的第二厚度D2。因此，由于形成在设置于阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度形成为小于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止外部水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。下面将参考图9和图10更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图9是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图10是图9的一部分的截面图。下面参考图9和图10描述的显示设备类似于上述显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可以在下面参考图9和图10省略。根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第四辅助图案403。第四辅助图案403可以包括设置在第一绝缘层150和第二绝缘层152之间的第一层403a，以及与第一层403a重叠并设置在第二绝缘层152上的第二层403b例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第四辅助图案403的第一层403a可以与显示区DA的第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87基本上同时形成，并且可以具有与显示区DA的第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87相同的材料。第四辅助图案403的第二层403b可以与显示区DA的数据线171、驱动电压线172和输出构件173基本上同时形成，并且可以具有与显示区DA的数据线171、驱动电压线172和输出构件173相同的材料。参考图10，形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90可以与薄膜封装层80的第一无机封装层810a、第二无机封装层810b和有机封装层820重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第四辅助图案403重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止外部水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入被薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第四辅助图案403重叠。由于第四辅助图案403包括彼此重叠的第一层403a和第二层403b，所以第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1可以大于凹槽90通过第四辅助图案403的第一层403a和第二层403b的台阶形成的第二厚度D2。因此，由于形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度形成为小于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止外部水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分和氧气可能不会流过凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。下面将参考图11和图12更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图11是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图12是图11的一部分的截面图。下面参考图11和图12描述的显示设备类似于上述显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图11和图12省略。参考图11和图12，根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第五辅助图案404。第五辅助图案404可以设置在第二绝缘层152上。第五辅助图案404可以与显示区DA的数据线171、驱动电压线172和输出构件173基本上同时形成，并且可以包含与显示区DA的数据线171、驱动电压线172和输出构件173相同的材料。参考图12，形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90可以与薄膜封装层80的第一无机封装层810a、第二无机封装层810b和有机封装层820重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第五辅助图案404重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止外部水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入被薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第五辅助图案404重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1可以大于凹槽90通过第五辅助图案404的台阶形成的第二厚度D2。因此，由于形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度形成为小于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。下面将参考图13和图14更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图13是根据本发明示例性实施例的显示设备的截面图。图14是图13的一部分的截面图。下面参考图13和图14描述的显示设备类似于上述显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图13和图14省略。在根据本发明示例性实施例的显示设备中，设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度可以小于紧邻阻挡区域VA的区域中的第一夹层绝缘层160的厚度。例如，设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的第四厚度D4可以小于设置在除了显示区DA和阻挡区域VA之外的非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160的第三厚度D3。作为示例，由于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度形成为减小，所以形成在阻挡区域VA中的凹槽90的第二厚度D2可以形成为小于设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA。由于形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的凹槽90的高度形成为小于第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的厚度，所以当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。在本发明的示例性实施例中，仅第一夹层绝缘层160的厚度在阻挡区域VA中较小，然而，本发明的示例性实施例不限于此，并且第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个夹层绝缘层的厚度可以在阻挡区域VA中较小。下面将参考图15更详细地描述区分夹层绝缘层的厚度的方法。图15例示了根据本发明示例性实施例的显示设备的制造方法。参考图15，曝光掩模50可以具有透明区域A、半透明区域B和光阻区域C。光敏层60可以沉积在基板110上，并且可以通过使用具有透明区域A、半透明区域B和光阻区域C的曝光掩模50来曝光。光可以施加到设置在透明区域A中的光敏层60，光不可以施加到设置在光阻区域C中的光敏层60，并且光可以部分地施加到设置在半透明区域B中的光敏层60。当光敏层60具有负光敏性时，随着通过曝光掩模50曝光的光敏层60显影，设置在透明区域A中的光敏层60可以基本上完全去除，设置在半透明区域B中的光敏层60可以仅部分地去除以使光敏层60的厚度减小，并且设置在光阻区域C中的光敏层60可以基本保持而没有厚度改变。当光敏层60具有正光敏性时，随着通过曝光掩模50曝光的光敏层60显影，设置在透明区域A中的光敏层60可以基本保持而没有厚度改变，设置在半透明区域B中的光敏层60可以仅部分地去除以使光敏层60的厚度减小，并且设置在光阻区域C中的光敏层60可以基本上完全去除。例如，基本上完全去除光敏层60的区域可以对应于形成第一夹层绝缘层160的接触孔71、72、73和74的区域，光敏层60部分地去除以使光敏层60的厚度减小的区域可以对应于设置在阻挡区域VA中并具有第四厚度D4的第一夹层绝缘层160，并且光敏层60基本保持而无厚度改变的区域可以对应于设置具有第三厚度D3而无接触孔71、72、73和74的第一夹层绝缘层160的区域。因此，由于通过使用半色调掩模half-tonemask形成包括具有不同厚度的三个区域的光敏膜图案，所以可以通过使用该光敏膜图案来蚀刻第一夹层绝缘层160，然后该光敏膜图案的高度可以减小，并且第一夹层绝缘层160可以被蚀刻，接触孔71、72、73和74可以形成在第一夹层绝缘层160中，并且基本同时地，通过减小设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的高度可以形成具有小于第三厚度D3的第四厚度D4的第一夹层绝缘层160。替代地，形成第一夹层绝缘层160的有机材料层本身可具有光敏性。参考图15，曝光掩模50的半透明区域B可以具有狭缝，然而曝光掩模50的半透明区域B也可以具有相对较小的厚度。下面参考图16更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图16是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。下面参考图16描述的显示设备类似于上面的显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图16省略。参考图16，根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第一辅助图案400，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的第四厚度D4可以小于设置在除了显示区DA和阻挡区域VA之外的非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160的第三厚度D3。凹槽90可以形成在设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中，并且凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第一辅助图案400重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第一辅助图案400可以与设置在显示区DA中的第一栅电极125和第二栅电极126基本上同时形成，并且可以包含与设置在显示区DA中的第一栅电极125和第二栅电极126相同的材料。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。当凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第一辅助图案400重叠并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度可以减小时，在阻挡区域VA中形成的凹槽90的第二厚度D2可以小于设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1，因此在形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气的渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。在本发明的示例性实施例中，第一夹层绝缘层160的厚度在阻挡区域VA中可以较小，然而本发明的示例性实施例不限于此，并且第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个夹层绝缘层的厚度可以在阻挡区域VA中减小。下面参考图17更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图17是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。下面参考图17描述的显示设备类似于上述的显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图17省略。根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第二辅助图案401，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的第四厚度D4可以小于设置在除了显示区DA和阻挡区域VA之外的非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160的第三厚度D3。凹槽90可以形成于设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中，并且凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第二辅助图案401重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第二辅助图案401可以包括设置在第一栅极绝缘层140和第二栅极绝缘层142之间的第一层401a，以及与第一层401a重叠并且设置在第二栅极绝缘层142和第一绝缘层150之间的第二层401b。第二辅助图案401的第一层401a可以与显示区DA的第一栅电极125和第二栅电极126基本上同时形成，并且可以包含与显示区DA的第一栅电极125和第二栅电极126相同的材料，并且第二辅助图案401的第二层401b可以与显示区DA的存储电极127基本上同时形成，并且可以包含与显示区DA的存储电极127相同的材料。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第二辅助图案401重叠，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度可以减小，并且形成在阻挡区域VA中的凹槽90的第二厚度D2可以形成为小于设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1，因此当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。在本发明的示例性实施例中，第一夹层绝缘层160的厚度在阻挡区域VA中可以相对较小，然而本发明的示例性实施例不限于此，并且第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个夹层绝缘层的厚度可以在阻挡区域VA中减小。下面将参考图18更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图18是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。下面参考图18描述的显示设备类似于上述显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图18省略。参考图18，根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第三辅助图案402，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的第四厚度D4可以小于设置在除了显示区DA和阻挡区域VA之外的非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160的第三厚度D3。凹槽90可以形成在设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中，并且凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第三辅助图案402重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第三辅助图案402可以设置在第一绝缘层150和第二绝缘层152之间。第三辅助图案402可以与显示区DA的第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87基本上同时形成并且可以包含与显示区DA的第一输入电极76、第一输出电极77、第二输入电极86和第二输出电极87相同的材料。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第三辅助图案402重叠，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度可以减小，并且形成在阻挡区域VA中的凹槽90的第二厚度D2可以小于设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1，因此当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。在本发明的示例性实施例中，第一夹层绝缘层160的厚度在阻挡区域VA中可以相对较小，然而本发明的示例性实施例不限于此，并且第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个夹层绝缘层的厚度可以在阻挡区域VA中减小。下面将参考图19更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图19是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。下面参考图19描述的显示设备类似于上述的显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图19省略。根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第四辅助图案403，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的第四厚度D4可以小于设置在除了显示区DA和阻挡区域VA之外的非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160的第三厚度D3。凹槽90可以形成在设置于阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中，并且凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第四辅助图案403重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第四辅助图案403可以包括设置在第一绝缘层150和第二绝缘层152之间的第一层403a，以及与第一层403a重叠并且设置在第二绝缘层152上的第二层403b。当凹槽90形成在设置于与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第四辅助图案403重叠，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度可以减小，并且形成在阻挡区域VA中的凹槽90的第二厚度D2可以小于设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1，因此当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。在本发明的示例性实施例中，第一夹层绝缘层160的厚度在阻挡区域VA中可以相对较小，然而本发明的示例性实施例不限于此，并且第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个夹层绝缘层的厚度可以在阻挡区域VA中减小。下面将参考图20更详细地描述根据本发明示例性实施例的显示设备。图20是根据本发明示例性实施例的显示设备的一部分的截面图。下面参考图20描述的显示设备类似于上述的显示设备例如，参考图2和图3。因此，与上述内容例如，参考图2和图3相同或基本相同的对部件的重复描述可在下面参考图20省略。参考图20，根据本发明示例性实施例的显示设备可包括设置在阻挡区域VA中的第五辅助图案404，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的第四厚度D4可以小于设置在除了显示区DA和阻挡区域VA之外的非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160的第三厚度D3。凹槽90可以形成在设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中，并且凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第五辅助图案404重叠例如，沿着与基板110的上表面正交的方向。第五辅助图案404可以设置在第二绝缘层152上。第五辅助图案404可以与显示区DA的数据线171、驱动电压线172和输出构件173基本上同时形成，并且可以包括与显示区DA的数据线171、驱动电压线172和输出构件173相同的层。当凹槽90形成于设置在与薄膜封装层80重叠的阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中时，可以阻止水分和空气通过设置在非显示区NDA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180流入由薄膜封装层80覆盖的显示区DA中。凹槽90可以与设置在阻挡区域VA中的第五辅助图案404重叠，并且设置在阻挡区域VA中的第一夹层绝缘层160的厚度可以减小，并且形成在阻挡区域VA中的凹槽90的第二厚度D2可以小于设置在显示区DA中的第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180的第一厚度D1，因此当形成凹槽90时，可以阻止有机材料残留，并且可以阻止水分和空气流过残留在凹槽90中的有机材料。例如，水分或氧气可能不会流过形成在凹槽90下方的空间。因此，凹槽90可以阻止水分或氧气渗入，例如阻止水分或氧气渗入到显示设备的发射层或信号线。在本发明的示例性实施例中，第一夹层绝缘层160的厚度在阻挡区域VA中可以相对较小，然而本发明的示例性实施例不限于此，并且第一夹层绝缘层160和第二夹层绝缘层180中的至少一个夹层绝缘层的厚度可以在阻挡区域VA中减小。虽然已经参考本发明的示例性实施例示出和描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对它们进行各种改变。

权利要求：1.一种显示设备，包括：基板，所述基板包括显示区和与所述显示区相邻的非显示区，其中所述非显示区包括阻挡区域；设置在所述基板上的有机层；设置在所述基板的所述显示区中的发射层；设置在所述基板的所述非显示区的所述阻挡区域中的辅助图案；和设置在所述基板上且与所述发射层和所述阻挡区域重叠的薄膜封装层，其中，所述有机层具有穿透所述阻挡区域中的所述有机层的整个厚度的凹槽，并且所述辅助图案与所述凹槽重叠。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层，和设置在所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间的有机封装层，所述有机封装层覆盖所述显示区及所述非显示区的一部分，并且所述阻挡区域与所述有机封装层重叠。3.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：设置在所述基板上的半导体层；设置在所述半导体层上的第一栅极绝缘层；设置在所述第一栅极绝缘层上的栅电极；设置在所述栅电极上的第二栅极绝缘层；设置在所述第二栅极绝缘层上的存储电极；设置在所述存储电极上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上且连接到所述半导体层的输入电极和输出电极；设置在所述输入电极和所述输出电极上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上的数据线和驱动电压线，其中所述有机层包括设置在所述第二绝缘层上的第一夹层绝缘层和设置在所述第一夹层绝缘层上的第二夹层绝缘层。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述辅助图案包含与所述栅电极相同的材料。5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述辅助图案包括彼此重叠的第一层和第二层，并且所述第二栅极绝缘层设置在所述第一层和所述第二层之间，所述第一层包含与所述栅电极相同的材料，并且所述第二层包含与所述存储电极相同的材料。6.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述辅助图案设置在所述第一绝缘层上，并且所述辅助图案包含与所述输入电极和所述输出电极相同的材料。7.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述辅助图案包括彼此重叠的第一层和第二层，并且所述第二绝缘层设置在所述第一层和所述第二层之间，所述第一层包含与所述输入电极和所述输出电极相同的材料，并且所述第二层包含与所述数据线和所述驱动电压线相同的材料。8.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述辅助图案包含与所述数据线和所述驱动电压线相同的材料。9.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：设置在所述非显示区中的公共电压传输线，并且所述阻挡区域设置在所述显示区和所述公共电压传输线之间。10.根据权利要求9所述的显示设备，还包括：设置在所述非显示区中的第一间隔件和第二间隔件，所述第一间隔件与所述公共电压传输线重叠，并且所述第二间隔件与所述第一间隔件相比与所述显示区分离更远。

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