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摘要：本发明提供接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法。本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。
主权项：1.一种接合用铜糊料，其为含有金属粒子和分散介质的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有体积平均粒径为0.3μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且所述金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以所述薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量%以下，所述薄片状微米铜粒子的含量以所述金属粒子的总质量为基准计为1质量%以上且90质量%以下，所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述薄片状微米铜粒子的质量之和为基准计为20质量%以上且90质量%以下。
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权利要求：
百度查询： 株式会社力森诺科 接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法
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