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摘要：本发明提供了一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构，属于光学隐身器件技术领域。多层电介质结构包括两个呈宇称‑时间对称分布的Thue‑Morse图厄‑摩尔斯，T‑M序列，T‑M序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN‑1A→AB，B→BA，N≥3，其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片，当某波长值的入射光从一侧入射，通过多层电介质结构反射后的反射光强为零，而该波长的光波从另一侧入射时，反射光强不为零，从而实现该波长值的入射光的单向隐身；改变增益‑损耗因子可实现对隐身波长的调控。

主权项：1.一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构，其特征在于，所述多层电介质结构包括两个呈宇称-时间对称分布的Thue-Morse序列，所述Thue-Morse序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN-1A→AB，B→BA，N≥3，其中SN-1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片；位于多层电介质结构对称中心一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为na；位于多层电介质结构对称中心另一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层，通光状态下的折射率表示为na'；与第一增益电介质层同侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层，通光状态下的折射率表示为nb；与第一损耗电介质层同侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为nb'；na＝nA+0.01qi，na'＝nA-0.01qi，nb＝nB-0.01qi，nb'＝nB+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自折射率对应的14光学波长；损耗可以通过掺杂铁离子来实现，增益通过非线性二波混频得到，入射光为横磁波，从多层电介质结构的任一侧垂直入射；当某波长值的入射光从一侧入射，通过多层电介质结构反射后的反射光强为零，而该波长的光波从另一侧入射时，反射光强不为零，从而实现该波长值的入射光的单向隐身；改变增益-损耗因子可实现对隐身波长的调控。

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