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摘要：本发明涉及一种门控晶体管的制造方法，包括如下步骤：采用FZ‑n100制作n‑漂移区；在n‑漂移区上沉积0.3‑0.7μm的第一氧化物层；第一氧化物层为SiO2层；采用CMD化学干法刻蚀使得第一氧化物层中部去除形成凹槽，第一氧化物层分离形成左氧化物层、右氧化物层；第一氧化物层上沉积n型多晶硅形成n区，n区的底部中部形成置于凹槽的凸起；在对应于左氧化物层、右氧化物层的位置形成p区与n+区；左氧化物层上方的p区与n‑漂移区形成隔离，右氧化物层上方的p区与n‑漂移区形成隔离。采用本发明的上述隔离措施后，p区与n‑漂移区不直接接触，因此可以减少p区与n‑漂移区与p‑区之间可能产生的突然导通现象。
主权项：1.一种门控晶体管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：采用FZ-n（100）制作n-漂移区；在n-漂移区上沉积0.3-0.7μm的第一氧化物层；所述第一氧化物层为SiO2层；采用CMD化学干法刻蚀使得第一氧化物层中部去除形成凹槽，第一氧化物层分离形成左氧化物层、右氧化物层；第一氧化物层上沉积n型多晶硅形成n区，所述n区的底部中部形成置于凹槽的凸起；在对应于左氧化物层、右氧化物层的位置离子注入和热退火形成p区与n+区；左氧化物层上方的p区与n-漂移区形成隔离，右氧化物层上方的p区与n-漂移区形成隔离；形成第二氧化物层，第二氧化物层覆盖于n区、p区与n+区；形成门极，所述门极的侧边缘对应于所述n+区上方；在所述n区的底部中部形成的凸起的底部注入磷离子以形成空穴阻挡层；所述的门控晶体管包括n-漂移区，n-漂移区上形成第一氧化物层，所述第一氧化物层中部去除形成凹槽使得形成左氧化物层、右氧化物层，所述第一氧化物层上具有n区，所述n区的底部中部形成置于凹槽的凸起，对应于左氧化物层、右氧化物层的位置形成p区，在p区上方局部形成n+区，左氧化物层上方的p区与n-漂移区形成隔离，右氧化物层上方的p区与n-漂移区形成隔离；所述n区上形成第二氧化物层，所述第二氧化物层上形成门极，所述门极的侧边缘对应于所述n+区上方。
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