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摘要：本公开提供一种瞬态电压抑制二极管结构及其制造方法。其结构包括P型基层板、N型外延层、P+型植入层、N+型植入层、深层沟渠部、介电质层以及第一金属层。N型外延层设置于P型基层板。P+型植入层与N+型植入层，嵌设于N型外延层上，且彼此分离设置。深层沟渠部贯穿N型外延层，且具有彼此相对的第一端与第二端。第一端插置于P型基层板。介电质层设置于N型外延层上。第一金属层设置于介电质层上，且通过介电质层而连接至P+型植入层、N+型植入层以及深层沟渠部的第二端。其中深层沟渠部连接第一金属层，且组配架构一硅控整流器。
主权项：1.一种瞬态电压抑制二极管结构，包括一P型基层板，具有一第一面与一第二面，其中该第一面与该第二面彼此相反；一N型外延层，设置于该P型基层板的该第一面上；至少一P+型植入层，嵌设于该N型外延层上；至少一N+型植入层，嵌设于该N型外延层上，且与该至少一P+型植入层分离设置；多个深层沟渠部，贯穿该N型外延层，其中每一该深层沟渠部具有彼此相对的一第一端与一第二端，其中该第一端连接至该P型基层板；一介电质层，设置于该N型外延层上，且曝露该至少一P+型植入层、该至少一N+型植入层以及每一该多个深层沟渠部的该第二端；以及一第一金属层，设置于该介电质层上，且连接至该至少一P+型植入层、该至少一N+型植入层以及该多个深层沟渠部的该第二端，其中该多个深层沟渠部连接该第一金属层，且组配架构一硅控整流器，其中该多个深层沟渠部包括一掺杂多晶硅层。
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