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摘要:本实用新型提供了一种提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置,所述提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置包括反应腔室、样品台和微波组件,反应腔室顶部中心设有进气口,底部侧面均匀开设有多个出气口;样品台在反应腔室内,与反应腔室底部中心连接;微波组件设在反应腔室一侧,与反应腔室连接并连通。本实用新型提供的提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置,在底部均匀开设有至少四个出气口,改变了气体流动方式,提高了腔室内气体流场分布均匀性,从而提高衬底表面温度、腔室内活性基团分布均匀性,进而提高金刚石膜的质量和均匀性。
主权项:1.一种提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置,其特征在于,包括:反应腔室2,顶部中心设有进气口10,底部侧面均匀开设有多个出气口11,多个所述出气口11至少为四个;样品台3,在所述反应腔室2内,与所述反应腔室2底部中心连接,所述样品台3上适于放置衬底;以及微波组件,设在所述反应腔室2一侧,与所述反应腔室2连接并连通,用来向所述反应腔室2内发射微波。
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百度查询: 中国电子科技集团公司第四十六研究所 提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置
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