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摘要：本发明提供了一种碳化硅陶瓷制备方法。所述方法包括以下步骤：1主原料的配置：主原料包括以下成分：微米级α‑碳化硅球形粉，质量比占碳化硅2.5％‑10％的聚碳硅烷粉末；2浆料制备：将聚碳硅烷粉末加入到丁醚溶剂中，在磁力搅拌下制备聚碳硅烷溶液，再将碳化硅粉加入到聚碳硅烷溶液中继续磁力搅拌，获得混合浆料；3旋转蒸发干燥：将在步骤2所得的混合浆料进行旋转蒸发干燥，制备获得陶瓷粉；4放电等离子烧结：将在步骤3所得的陶瓷粉进行放电等离子烧结，得到碳化硅陶瓷。本发明通过直接烧结原位自生成纳米碳化硅晶粒，可以获得性能好的致密碳化硅陶瓷。该工艺步骤简单、流程短、操作方便，有效降低了成本，适用于工业化生产。
主权项：1.一种碳化硅陶瓷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1主原料的配置：主原料包括以下成分：微米级α-碳化硅球形粉，质量比占碳化硅粉2.5％-10％的聚碳硅烷粉末；2浆料制备：将聚碳硅烷粉末加入到丁醚溶剂中，在磁力搅拌下制备聚碳硅烷溶液，再将碳化硅粉加入到聚碳硅烷溶液中继续磁力搅拌，获得混合浆料；3旋转蒸发干燥：将在步骤2所得的混合浆料进行旋转蒸发干燥，制备获得陶瓷粉；4放电等离子烧结：将在步骤3所得的陶瓷粉进行放电等离子烧结，得到碳化硅陶瓷。
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百度查询： 北京理工大学唐山研究院 北京理工大学 一种碳化硅陶瓷制备方法
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