龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本申请提供一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备，涉及半导体技术领域。本申请在衬底上依次制备第一电极层、绝缘层和第二电极层，使第二电极层和或第一电极层与绝缘层间隔设置有氧化物层，并保证第二电极层、绝缘层和氧化物层侧面对齐，而后依次制备半导体层、栅介质层和栅电极层，使半导体层与第一电极层和第二电极层分别形成欧姆接触或准欧姆接触，并在与氧化物层直接接触的局部区域形成耗尽区，以通过形成的耗尽区抑制晶体管器件的短沟道效应，拓展电极材料的选择范围，降低对半导体层的层厚要求，从而有益于制备超短沟道的高性能半导体器件。
主权项：1.一种氧化物薄膜晶体管器件，其特征在于，所述晶体管器件包括：衬底；设置在所述衬底上的第一电极层；在所述第一电极层远离所述衬底的一侧依次层叠设置的绝缘层和第二电极层，其中所述第二电极层和或所述第一电极层与所述绝缘层间隔设置有氧化物层，所述第二电极层、所述绝缘层和所述氧化物层侧面对齐；沿所述绝缘层和所述氧化物层的侧壁生长的半导体层，其中所述半导体层对所述第二电极层远离所述衬底的外侧表面进行覆盖，并且对所述第一电极层远离所述衬底的外侧表面的目标表面区域进行覆盖，所述目标表面区域未被所述绝缘层或所述氧化物层覆盖；其中，所述第一电极层和所述第二电极层分别与所述半导体层形成欧姆接触或准欧姆接触，所述半导体层的与所述氧化物层直接接触的局部区域形成耗尽区；对所述半导体层进行覆盖的栅介质层，以及对所述栅介质层进行覆盖的栅电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省科学院半导体研究所 一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号