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摘要：集成电路单元架构包括前侧和背侧结构二者。背侧注入、半导体沉积、电介质沉积、金属化、膜图案化和晶片层级层转移中的一种或多种与前侧处理集成。这种双侧处理可能需要显露从衬底的前侧制造的结构的背侧。可以构建宿主‑施主衬底组件以在背侧处理期间支撑并保护前侧结构。可以在背侧处理期间修改和或互连前侧器件，例如FET。可以将诸如FET的背侧器件与前侧器件集成以扩展器件功能、改善性能或增大器件密度。
主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：与场隔离电介质相邻的晶体管主体，所述晶体管主体包括单晶半导体材料；与所述主体的侧壁相邻的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括通过栅极电介质与所述侧壁分隔的栅极电极；在所述栅极堆叠体的相对侧上耦合到所述晶体管主体的源极和漏极；处于所述晶体管主体和所述场隔离电介质的第一侧之上的前侧互连金属化层，所述前侧互连金属化层耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的第一个；以及处于所述主体和所述场隔离电介质的第二侧之上的背侧互连金属化层，所述背侧互连金属化层耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的第二个，并且其中，所述背侧互连金属化层具有与所述前侧互连金属化层不同的组分。
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百度查询： 英特尔公司 集成电路器件结构和双侧制造技术
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