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一种动态开关延时的SiC MOSFET并联均流驱动电路 

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摘要:本发明公开了一种动态开关延时的SiCMOSFET并联均流驱动电路,通过差分放大电路将外部电感电压差值进行信号放大,在SiCMOSFET并联电路电流不均衡时,输出控制信号到开通延时电路,改变栅源电压的变化速率和栅源电压的稳态值,动态调节SiCMOSFET的开通速度,从而抑制开通阶段的不均流现象。关断延时电路利用三极管构成反馈电路,在SiCMOSFET并联电路电流不均衡时,反馈电路输出端产生一个电流信号,在电流信号作用下改变栅源电压的变化速率,动态调节SiCMOSFET的关断速度,从而抑制关断阶段的不均流现象。本发明能够有效抑制器件参数不一致导致的SiCMOSFET并联不均流现象。

主权项:1.一种动态开关延时的SiCMOSFET并联均流驱动电路,其特征在于,包括SiCMOSFETM1、SiCMOSFETM2、差分放大电路、开通延时电路、关断延时电路;所述差分放大电路用于将SiCMOSFETM1和SiCMOSFETM2的外部电感电压差值进行信号放大,在SiCMOSFET并联电路电流不均衡时,输出控制信号到开通延时电路;所述开通延时电路包括SiCMOSFETM1支路的开通延时辅助电路和SiCMOSFETM2支路的开通延时辅助电路,分别为SiCMOSFETM1和SiCMOSFETM2的栅极提供开通延时回路,在所述控制信号作用下改变栅源电压的变化速率和栅源电压的稳态值,动态调节SiCMOSFET的开通速度,抑制开通阶段的不均流现象;所述关断延时电路包括SiCMOSFETM1支路的关断延时辅助电路和SiCMOSFETM2支路的关断延时辅助电路,利用三极管构成反馈电路,在SiCMOSFET并联电路电流不均衡时,反馈电路输出端产生一个电流信号,在所述电流信号作用下改变栅源电压的变化速率,动态调节SiCMOSFET的关断速度,抑制关断阶段的不均流现象。

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