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摘要：所描述的是电介质膜生长的抑制。该抑制可以在间隙中的电介质材料的原子层沉积ALD处理期间使用，以促进从下往上或由内而外的间隙填充。在间隙填充期间执行一个或更多抑制操作。该抑制操作以抑制后续ALD循环中的生长的方式对该间隙的表面进行改性。
主权项：1.一种对于室中的衬底上的结构的特征进行填充的方法，其包括：执行下列步骤的一个或更多循环：e在无等离子体的条件下提供含卤素气体至所述室，以抑制所述特征的至少一部分上的沉积；f执行一个或更多原子层沉积循环，以在所述特征中沉积电介质材料。
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