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摘要：本发明提供了一种改善MOSFET中SiCSiO2界面态密度的方法，上述方法包括：首先，提供SiC外延片，SiC外延片包括N型SiC衬底以及设置于N型SiC衬底上的P型SiC外延层；其次，采用热氧化工艺在P型SiC外延层远离N型SiC衬底的一侧形成SiO2栅介质层，热氧化工艺中的气体气氛为O2和第一气体形成的混合气体，第一气体为三氯乙烯或三氯乙烷；再次，对SiO2栅介质层进行原位退火处理，原位退火处理的退火气氛为N2、N2O以及NO中的至少一种；最后，在SiO2栅介质层远离N型SiC衬底的一侧表面形成栅极。本发明能够使SiCSiO2界面态密度明显降低，从而提高SiCSiO2的界面质量。
主权项：1.一种改善MOSFET中SiCSiO2界面态密度的方法，其特征在于，包括：S10，提供SiC外延片，所述SiC外延片包括N型SiC衬底以及设置于所述N型SiC衬底上的P型SiC外延层；S20，采用热氧化工艺在所述P型SiC外延层远离所述N型SiC衬底的一侧形成SiO2栅介质层，所述热氧化工艺中的气体气氛为O2和第一气体形成的混合气体，所述第一气体为三氯乙烯或三氯乙烷；S30，对所述SiO2栅介质层进行原位退火处理，所述原位退火处理的退火气氛为N2、N2O以及NO中的至少一种；S40，在所述SiO2栅介质层远离所述N型SiC衬底的一侧表面形成栅极。
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百度查询： 吉盛微(武汉)新材料科技有限公司 一种改善MOSFET中SiC/SiO2界面态密度的方法
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