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摘要:本发明涉及单分子免疫检测芯片领域,具体公开了一种贵金属信号增强的等离子体单分子阵列芯片及其制备方法,生产原料包括基底芯片和复合镀膜材料;所述复合镀膜材料由贵金属复合材料和增效复合金属材料按照1:0.03~2的质量比组成;所述贵金属复合材料由金和铂按照1:0.01~0.5的质量比组成;所述增效复合金属材料由钌和钯按照1:0.2~1.5的质量比组成。其优点是:能够显著提高单分子阵列芯片的信噪比,进一步提高该技术在单分子免疫分析中的准确性和可靠性。
主权项:1.贵金属信号增强的等离子体单分子阵列芯片的制备方法,其特征在于:生产原料包括基底芯片和复合镀膜材料;所述复合镀膜材料由贵金属复合材料和增效复合金属材料按照1:0.03~2的质量比组成;所述贵金属复合材料由金和铂按照1:0.01~0.5的质量比组成;所述增效复合金属材料由钌和钯按照1:0.2~1.5的质量比组成。
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