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摘要:本发明公开了一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层,还包括自旋极化电子层,所述下限制层具有第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层;所述自旋极化电子层具有第一自旋极化电子层、第二自旋极化电子层和第三自旋极化电子层;所述第一自旋极化电子层位于第一下限制层和第二下限制层之间;所述第二自旋极化电子层位于第二下限制层和第三下限制层之间;所述第三自旋极化电子层位于第三下限制层和下波导层之间。本发明自旋极化电子层控制自旋边界态,增强激光元件的自旋极化率,激发并提升自旋波传播,抑制激光被未离化Mg杂质吸收的内部光学损耗。
主权项:1.一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件,从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105,还包括自旋极化电子层106,其特征在于,所述下限制层101具有第一下限制层101a、第二下限制层101b和第三下限制层101c;所述自旋极化电子层106具有第一自旋极化电子层106a、第二自旋极化电子层106b和第三自旋极化电子层106c;所述第一自旋极化电子层106a位于第一下限制层101a和第二下限制层101b之间;所述第二自旋极化电子层106b位于第二下限制层101b和第三下限制层101c之间;所述第三自旋极化电子层106c位于第三下限制层101c和下波导层102之间。
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百度查询: 安徽格恩半导体有限公司 一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件
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