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摘要：本申请公开了一种晶片清洗方法及清洗装置，晶片清洗方法包括将晶片浸泡于清洗装置的清洗液槽内；将浸泡腐蚀后的晶片转移至清洗装置的溢流水槽内；设定第一预设时间，并在溢流水槽内的纯水中以第一预设时间晃动晶片；将溢流水槽内的晶片转移至清洗装置的冲洗槽内；采用冲洗槽对晶片进行冲洗。本申请的晶片清洗方法及清洗装置，能够减少纯水消耗，降低废水处理成本。
主权项：1.一种晶片清洗方法，其特征在于，包括：将晶片浸泡于清洗装置的清洗液槽10内；将浸泡腐蚀后的所述晶片转移至所述清洗装置的溢流水槽20内；设定第一预设时间，并在所述溢流水槽20内的纯水中以所述第一预设时间晃动所述晶片；将所述溢流水槽20内的所述晶片转移至所述清洗装置的冲洗槽30内；采用所述冲洗槽30对所述晶片进行冲洗。
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百度查询： 朝阳通美晶体科技有限公司 保定通美晶体制造有限责任公司 晶片清洗方法及清洗装置
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