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摘要：本发明涉及一种SiCMOSFET结构及其制造方法，所述SiCMOSFET结构的元胞包括：从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区；延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部；位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区；所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极，所述栅极包括两部分，背离N‑外延层方向的栅极部分的宽度大于靠近N‑外延层方向的栅极部分的宽度；所述栅氧层和栅极的上方设置有层间介质；位于沟槽两端且位于N+区的上方设置有源极区；所述层间介质和源极区上方设置有源极；本发明降低栅漏寄生电容CGD，提高开关特性，降低功耗，提高芯片可靠性。
主权项：1.一种SiCMOSFET结构，其特征是，所述SiCMOSFET结构的元胞包括：从下到上依次设置的N+衬底（3）、N-外延层（4）、P肼区（9）和N+区（10）；延伸到N-外延层（4）内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部；位于N-外延层（4）内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区（5）；所述沟槽内表面设置有栅氧层（6），栅氧层（6）内设置有栅极（7），所述栅极（7）包括两部分，背离N-外延层（4）方向的栅极（7）部分的宽度大于靠近N-外延层（4）方向的栅极（7）部分的宽度；所述栅氧层（6）和栅极（7）的上方设置有层间介质（12）；位于沟槽两端且位于N+区（10）的上方设置有源极区（11）；所述层间介质（12）和源极区（11）上方设置有源极。
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百度查询： 株洲中车时代半导体有限公司 一种SiC MOSFET结构及其制造方法
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