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摘要：本发明涉及一种掩模板的设计方法和微型发光二极管的制备方法，其中，设计方法包括如下步骤：建立仿真模型，所述仿真模型包括微型发光二极管的GaN外延片以及位于所述GaN外延片上方的保护层、光刻胶层和掩模板；所述掩模板包括基体层和位于所述基体层上的遮光层；设定仿真条件，包括用于曝光光源的波长、仿真模型中各结构层的厚度和遮光层的图案结构；基于仿真模型和仿真条件进行仿真模拟，得到曝光时经过掩膜板后光刻胶层接收到的光场分布；改变遮光层的图案结构，重复仿真模拟，并重新得到光场分布；根据效果确定最优光场分布对应的遮光层的图案结构；所述图案结构包括主体单元以及位于所述主体单元一个或多个边角处的辅助单元。
主权项：1.一种掩模板的设计方法，其特征在于，包括如下步骤：建立仿真模型，所述仿真模型包括微型发光二极管的GaN外延片以及位于所述GaN外延片上方的保护层、光刻胶层和掩模板；所述掩模板包括基体层和位于所述基体层上的遮光层，所述遮光层位于所述光刻胶层和基体层之间；设定仿真条件，包括用于曝光光源的波长、仿真模型中各结构层的厚度和遮光层的图案结构；基于仿真模型和仿真条件进行仿真模拟，得到曝光时经过掩膜板后光刻胶层接收到的初始光场分布；改变遮光层的图案结构，重复仿真模拟，并重新得到优化光场分布；根据效果确定最优光场分布对应的遮光层的图案结构；所述图案结构包括主体单元以及位于所述主体单元一个或多个边角处的辅助单元。
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百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 掩模板的设计方法和微型发光二极管的制备方法
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