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摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；自所述半导体衬底的正面对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的全面离子注入，以得到全面掺杂区；在所述全面掺杂区内形成第二掺杂类型的多个间隔的反型隔离掺杂区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同；在所述半导体衬底的背面形成背面隔离结构，所述背面隔离结构与所述反型隔离掺杂区一一对应，且每个背面隔离结构延伸至对应的反型隔离掺杂区内。本发明可以在提高满阱容量的同时保持有效隔离，还可以减少一层掩膜版及其对应的光刻步骤。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；自所述半导体衬底的正面对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的全面离子注入，以得到全面掺杂区；在所述全面掺杂区内形成第二掺杂类型的多个间隔的反型隔离掺杂区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同；在所述半导体衬底的背面形成背面隔离结构，所述背面隔离结构与所述反型隔离掺杂区一一对应，且每个背面隔离结构延伸至对应的反型隔离掺杂区内。
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百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 半导体器件及其形成方法
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