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摘要：本发明涉及一种低损耗高栅氧可靠性的沟道栅SiC‑MOSFET结构，包括金属层；包括栅极沟槽，栅极沟槽包括倒“U”型Poly，所述倒“U”型Poly设置在金属层下方，所述倒“U”型Poly外侧设置有N‑沟道；包括N+区，所述N+区设置在倒“U”型Poly两侧；包括Pwell区，所述Pwell区设置在倒“U”型Poly两侧，并且位于N+区下方；包括P+区，所述P+区设置在N+区和Pwell区外侧，其优点在于弱化栅氧界面态密度，从而提高载流子迁移率，降低器件导通电阻，不仅减小栅漏电容Cgd，降低器件的开关损耗，提高势垒高度，提高遂穿电流的电场强度，避免结构被轻易击穿。
主权项：1.一种低损耗高栅氧可靠性的沟道栅SiC-MOSFET结构，其特征在于：包括金属层；包括栅极沟槽，栅极沟槽包括倒“U”型Poly，所述倒“U”型Poly设置在金属层下方，所述倒“U”型Poly外侧设置有N-沟道；包括N+区，所述N+区设置在倒“U”型Poly两侧；包括Pwell区，所述Pwell区设置在倒“U”型Poly两侧，并且位于N+区下方；包括P+区，所述P+区设置在N+区和Pwell区外侧。
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百度查询： 江苏索力德普半导体科技有限公司 一种低损耗高栅氧可靠性的沟道栅SiC-MOSFET结构
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