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摘要：本申请公开了一种适用于高台阶基底的光刻胶涂布方法，包括步骤：S1.将待涂布光刻胶的基底放置于晶圆载台，晶圆载台保持第一转速v1，v1≥1500转分钟，向基底表面喷淋稀释剂，喷淋时间为t1；S2.将晶圆载台的转速调整至第二转速v2，继续喷淋稀释剂，载台继续旋转时间t2，喷淋的稀释剂体积与步骤S3中喷涂的光刻胶体积之比为1:1～1:5，v2＜500转分钟；S3.保持v2转速，向步骤S2的基底表面喷涂光刻胶，喷涂后使晶圆载台保持第三转速v3，使光刻胶自流平，v2＜v3；S4.调整晶圆载台的转速至工艺预设转速v4，在基底表面上得到预设厚度的光刻胶层。本发明通过喷淋在基底上的稀释剂改善光刻胶流动性，使得光刻胶层均匀增厚，从而实现高分辨率的光刻工艺。
主权项：1.一种适用于高台阶基底的光刻胶涂布方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将待涂布光刻胶的基底放置于晶圆载台，所述晶圆载台保持第一转速v1，v1≥1500转分钟，向所述基底表面喷淋稀释剂，喷淋时间为t1，使得所述基底表面润湿；S2.将所述晶圆载台的转速调整至第二转速v2，继续喷淋稀释剂，所述晶圆载台继续旋转时间t2，喷淋的稀释剂的体积与步骤S3中喷涂的光刻胶的体积之比为1:1～1:5，v2＜500转分钟；S3.所述晶圆载台保持v2转速，向步骤S2的所述基底表面喷涂光刻胶，喷涂后使所述晶圆载台保持第三转速v3，使光刻胶自流平，v2＜v3；S4.调整所述晶圆载台的转速至工艺预设转速v4，在所述基底表面上得到预设厚度的光刻胶层。
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百度查询： 杭州合盛微电子有限公司 一种适用于高台阶基底的光刻胶涂布方法
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