龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过在第二方向上，使栅极对应沟道部的中间区域的部分的有效长度，小于栅极对应沟道部的边缘区域的部分的有效长度，使得半导体器件对应沟道部的中间区域的沟道长度，小于半导体器件对应沟道部的边缘区域的沟道长度，则在短沟道效应下，半导体器件的中间区域会优先于半导体器件的边缘区域开启，从而可以消除驼峰电流，减小半导体器件的亚阈值摆幅，提高半导体器件的性能，从而提高显示均一性。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置于所述衬底一侧，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的掺杂部；栅极，设置于所述衬底一侧；其中，在所述有源层所在平面上具有相互垂直的第一方向和第二方向，所述沟道部指向所述掺杂部的方向为第一方向，在所述第二方向上，所述栅极对应所述沟道部的中间区域的部分的有效长度，小于所述栅极对应所述沟道部的边缘区域的部分的有效长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 半导体器件和电子器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号