Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C的制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

摘要:具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiCC的制备方法,包括以下步骤:将直径均一的SiO2纳米球在溶剂中沉积成为模板;将聚甲基硅烷分散液倒入所述模板浸渍;在惰性气氛中热交联;陶瓷化热处理;在氢氟酸中浸渍;在活性气氛下热处理,即得到具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiCC。与现有技术相比,本发明首次将先驱体转化技术、模板技术以及微孔碳层的原位生成技术相结合制备三维有序多孔材料;首次制备出具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiCC陶瓷;该材料具有微孔和三维有序大孔结构,具有孔壁强度高,硬度大、耐高温性好、比表面积大等优点,并且制备方法工艺简单、实施方便、适于批量制备。

主权项:1.具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiCC的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将直径均一的SiO2纳米球均匀分散于溶剂中,经自然沉积SiO2纳米球自组装成三维有序的模板,除去溶剂并干燥;(2)将聚甲基硅烷分散液倒入所述模板所在的容器中,浸渍,除去溶剂;(3)步骤(2)所得产物在惰性气氛中热交联;再热处理,使其陶瓷化;(4)步骤(3)所得产物在氢氟酸中浸渍,刻蚀掉所述模板,清洗干净,得3DOMSiC陶瓷;(5)将所述3DOMSiC陶瓷在活性气氛下热处理,使其孔壁表层的硅原子被除去,并在原位生成多孔碳层,即得到具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiCC。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 宁波众兴新材料科技有限公司 具有双层孔壁结构的三维有序多孔SiC/C的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

相关技术
相关技术
相关技术