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摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆及其制备方法。所述碳化硅晶圆的制备方法包括如下步骤：提供碳化硅基底；注入掺杂离子至所述碳化硅基底，于所述碳化硅基底内形成一剥离层；键合所述碳化硅基底至一支撑基底表面；于所述剥离层的位置分割所述碳化硅基底，以一所述支撑基底及其表面剩余的所述碳化硅基底共同作为一碳化硅晶圆。本发明节省了碳化硅晶圆的制备时间和人力成本，提高了碳化硅晶圆的制备效率，并降低了碳化硅晶圆的制备成本。
主权项：1.一种碳化硅晶圆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供碳化硅基底；注入掺杂离子至所述碳化硅基底，于所述碳化硅基底内形成一剥离层；键合所述碳化硅基底至一支撑基底表面；于所述剥离层的位置分割所述碳化硅基底，以一所述支撑基底及其表面剩余的所述碳化硅基底共同作为一碳化硅晶圆。
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百度查询： 上海新傲科技股份有限公司 碳化硅晶圆及其制备方法
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