龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种优化刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的方法，包括：S1，执行第一次光刻工艺；S2，执行干法刻蚀工艺；S3，执行第一次干法去除工艺；S4，执行第一次湿法去除工艺；S5，执行第二次光刻工艺；S6，执行多次离子注入；S7，执行第二次干法去除工艺；S8，执行第二次湿法去除工艺。本发明在传统工艺干法刻蚀后添加干法去除和湿法去除，去除残留光刻胶和刻蚀副产物，再正常光刻显影后进行离子注入，可以从源头避免副产物水汽凝结缺陷，尤其是可以有效改善小size产品留置时间较长后刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的问题，从而避免良率损失。
主权项：1.一种优化刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的方法，其特征在于，包括：S1，执行第一次光刻工艺；S2，执行干法刻蚀工艺；S3，执行第一次干法去除工艺；S4，执行第一次湿法去除工艺；S5，执行第二次光刻工艺；S6，执行多次离子注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 优化刻蚀副产物及水汽凝结缺陷的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号