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摘要:本申请公开了一种原子层沉积镀膜方法,该镀膜方法包括至少一个镀膜循环工艺,镀膜循环工艺包括:向容置有基体的反应装置内通入第一工艺气体,其中,第一工艺气体包括第一反应气体和惰性气体,且第一工艺气体的通入时长范围为0.1s‑5s;封闭反应装置,使第一工艺气体扩散吸附至基体的待镀膜表面;对反应装置进行第一吹扫处理;向反应装置内通入第二工艺气体,其中,第二工艺气体包括第二反应气体和惰性气体,且第二工艺气体的通入时长范围为0.1s‑5s;封闭反应装置,使第二工艺气体扩散吸附至基体的待镀膜表面;对反应装置进行第二吹扫处理。通过上述方式,本申请能够保证沉积钝化膜的效果的同时降低绕镀问题。
主权项:1.一种原子层沉积镀膜方法,其特征在于,所述镀膜方法包括至少一个镀膜循环工艺,所述镀膜循环工艺包括:向容置有基体的反应装置内通入第一工艺气体,其中,所述第一工艺气体包括第一反应气体和惰性气体,且所述第一工艺气体的通入时长范围为0.1s-5s;封闭所述反应装置,使所述第一工艺气体扩散吸附至所述基体的待镀膜表面;对所述反应装置进行第一吹扫处理;向所述反应装置内通入第二工艺气体,其中,所述第二工艺气体包括第二反应气体和所述惰性气体,且所述第二工艺气体的通入时长范围为0.1s-5s;封闭所述反应装置,使所述第二工艺气体扩散吸附至所述基体的待镀膜表面;对所述反应装置进行第二吹扫处理。
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