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摘要：一种内置混合型体二极管的SiCMOSFE及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在沟槽栅SiCMOSFET器件内部集成SBD二极管和PN结二极管，形成混合型体二极管，实现了对器件长期稳定使用的改善。在Is续流过程中，SBD体二极管作为续流管先行开启，避免了空穴进入到SiCDrift层中发生双极退化效应；在器件经Issm大浪涌电流时，PN结体二极管开启，从而提高了器件承受大浪涌电流冲击能力。
主权项：1.一种内置混合型体二极管的SiCMOSFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）顶面依次沉积SiCDrift层（2）和CSL层（3）；S200，在CSL层（3）的顶面制备肖特基接触层（4），使SiCMOSFET内部形成SBD体二极管；S300，在CSL层（3）和肖特基接触层（4）的顶面沉积P-body层（5），并在P-body层（5）上通过离子注入形成重掺杂的P+区（6）；S400，在P-body层（5）的顶面通过外延沉积一层NP层（7）；S500，在肖特基接触层（4）的顶面形成第一欧姆接触层（8）；S600，在NP层（7）的顶面刻蚀形成延伸至SiCDrift层（2）内的沟槽，并在沟槽底部通过离子注入形成屏蔽电场的重掺杂的P-shield区（9），沟槽内形成一层栅氧化层（10）；S700，在栅氧化层（10）内形成Poly层（11）；S800，在Poly层（11）上形成隔离SiCMOSFET的栅电极和源电极的隔离介质层（12）；S900，在器件的顶面依次形成第二欧姆接触层（13）和正面电极金属层（14）。
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