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摘要：提供一种能够容易识别特定气体种类的测量装置和测量方法。根据本技术的实施方式的测量装置包括测量单元、气体供应单元以及控制单元。测量单元包括金属氧化物半导体传感器和将半导体传感器加热到第一温度、第二温度或第三温度的加热单元，第二温度和第三温度高于第一温度。控制单元控制测量单元和气体供应单元。控制单元能够执行：刷新处理，用于在不包含还原性气体的第一气体的气氛中将半导体传感器加热到第三温度以清洁半导体传感器，低温测量处理，用于在包含还原性气体的第二气体的气氛中将半导体传感器加热到第一温度以测量半导体传感器的电阻值，以及高温测量处理，用于在第二气体的气氛中将半导体传感器加热到第二温度以测量半导体传感器的电阻值，以及控制单元执行低温测量处理作为刷新处理之后的处理。
主权项：1.一种测量装置，包括：测量单元，所述测量单元包括一个或多个半导体传感器、容纳所述半导体传感器的测量室、以及将所述半导体传感器加热到第一温度、第二温度或第三温度的加热单元，所述一个或多个半导体传感器各自包括由金属氧化物形成的吸附层，所述第二温度和所述第三温度高于所述第一温度；气体供应单元，所述气体供应单元包括第一气体供应管线和第二气体供应管线，所述第一气体供应管线将不包含待检测的还原性气体的第一气体供应到所述测量室，所述第二气体供应管线将包含所述还原性气体的第二气体供应到所述测量室；以及控制单元，所述控制单元控制所述测量单元和所述气体供应单元，所述控制单元能够执行刷新处理，用于在所述第一气体的气氛中将所述半导体传感器加热到所述第三温度的同时清洁所述吸附层，低温测量处理，用于在所述第二气体的气氛中将所述半导体传感器加热到所述第一温度的同时测量所述半导体传感器的电阻值，以及高温测量处理，用于在所述第二气体的气氛中将所述半导体传感器加热到所述第二温度的同时测量所述半导体传感器的电阻值，所述控制单元执行所述低温测量处理作为所述刷新处理之后的处理。
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