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摘要：本发明提供了一种基于轨迹均匀性的抛光盘修整器制备方法、抛光盘修整器，涉及半导体加工设备技术领域。所述修整器包括基板以及设置在所述基板上的磨块，所述磨块表面布置有可相对于抛光盘表面运动的金刚石磨粒；所述磨块基于轨迹均匀性的算法排布在所述基板上。通过本方案可以提高抛光盘修整器抛光时的效率。
主权项：1.一种基于轨迹均匀性的抛光盘修整器制备方法，所述修整器包括基板以及设置在所述基板上的磨块，其特征在于，所述磨块表面布置有可相对于抛光盘表面运动的金刚石磨粒；所述磨块基于轨迹均匀性的算法排布在所述基板上；具体步骤为：S1、首先根据抛光盘修整器的尺寸和形状参数，确定磨块排布的基本布局；S2、根据单面抛光运动建立轨迹方程，采用matlab软件辅助建立数学模型，结合轨迹均匀性算法，对磨块的排布进行优化，优化过程考虑磨块的位置，以实现最佳的轨迹均匀性；所述S2包括如下步骤：S21、首先根据修整盘磨粒与抛光盘表面的相对运动建立轨迹方程如下： 其中，S表示磨粒距修整器中心距离；r表示修整器与抛光盘中心距；ω1表示修整器转动角速度；ω2表示抛光盘转速；q表示磨粒初始相位角；t表示修整时间；S22、借助计算软件matlab建立修整器表面磨粒的模拟分布；S23、根据S21得到的磨粒坐标计算抛光盘表面轨迹分布；S24、建立抛光盘表面轨迹分布均匀性模型：将抛光盘表面划分为若干网格，计算每个网格内的轨迹长度之和，计算公式如下： 计算所有轨迹的平均值： 计算轨迹方差： 抛光盘表面轨迹分布均匀性系数为： 式中，△Si,t+tp为单颗磨粒在tp时间内的轨迹长度，xi,t，yi,t为磨粒点t时刻坐标，xi,t+tp，yi,t+tp为tp时刻后磨粒点坐标，Si为T时刻内单颗磨粒在网格的总轨迹长度。S25、经过优化计算得到轨迹分布均匀性最佳的磨块排布方式。
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